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公开(公告)号：CN1228179A
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：CN98800758.4
申请日：1998-06-04
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
CPC classification number: G06K19/06196
Abstract: 本发明的目的在于阻止对磁记录介质例如磁卡中的记录信息的非法改写，并且有助于基本不可变信息的记录。在磁记录介质的使用中，该记录介质在基片的至少一部分上，包括含有不可逆记录材料的不可逆记录层，在加热的作用下其饱和磁化强度发生不可逆变化，本发明涉及以下步骤：预先加热不可逆记录层，形成按条形码图形排列了多个加热条的初始加热区，加热条的饱和磁化强度已经发生了不可逆变化，把设置在加热条之间的未加热条转变成加热状态，改变加热条的阵列图形，从而记录信息。
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公开(公告)号：CN1216144A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98800122.5
申请日：1998-02-12
Applicant: TDK株式会社 , 东京磁气印刷株式会社
CPC classification number: G06K19/06196 , Y10T428/2982
Abstract: 一种能够有效地防止通过更改记录信息进行伪造的磁记录介质,和对该磁记录介质记录和读出的方法。该磁记录介质包括由含有Fe和Al的结晶合金制成的记录材料。Fe和Al的总量至少是90wt%,Al/(Fe+Al)的原子比是0.30～0.45。该记录材料的相通过加热从无序相转变为有序相。此记录材料的饱和磁化强度加热前至少是45emu/g,通过加热至少下降35emu/g。利用透射电镜在此记录材料的明场图象中可以观察到暗区,其所占据的面积比是记录材料的15－60%,其最大宽度是10－200nm。
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公开(公告)号：CN1228178A
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：CN98800757.6
申请日：1998-06-04
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
CPC classification number: G06K19/06196
Abstract: 本发明的目的在于防止磁记录介质中记录数据的非法更改，该磁记录介质含有加热时饱和磁化强度发生不可逆变化的不可逆记录层。所述磁记录介质包括在基片的至少一部分上的不可逆记录层，所述不可逆记录层含有在加热时产生饱和磁化强度的不可逆变化的不可逆记录材料。所述不可逆记录层包括至少部分的固定信息记录区，用于记录介质的固定信息。在固定信息记录区内，饱和磁化强度已经发生不可逆变化的多个加热条相互之间基本平行排列。加热条的阵列图形或位于相邻加热条之间的未加热条的阵列图形含有用频率调制法或相位调制法编码的固定信息。
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公开(公告)号：CN1372272A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN01144109.7
申请日：2001-12-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F17/04 , H01F27/027 , H01F41/0246 , H01F41/127 , H01F2017/046 , Y10T29/4902 , Y10T29/49071
Abstract: 提供一种线圈封入模制粉末磁芯及其制造方法,不会产生线圈与端子部的接合故障或线圈及与端子部和磁粉的绝缘故障,达到进一步小型化、更大的电感。由卷绕扁平形导体3的线圈100和由覆盖绝缘材料的、弱磁性金属粒子构成的模制粉末体20来构成线圈封入模制粉末磁芯。在实现线圈封入模制粉末磁芯的进一步小型化的同时,可得到大的电感。可用扁线来作为扁平形导体3。在本发明中,可将线圈100的一部分作为端子部200,此时,有效形成比线圈100的其它部分宽的端子部200。
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公开(公告)号：CN101667427A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667427B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
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公开(公告)号：CN100360001C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN02822241.5
申请日：2002-11-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K9/0086 , H01F1/18 , H01F1/26 , H01F41/0246 , H05K9/0075
Abstract: 本发明的目的在于，提供在高频下具有优良的磁导率的电磁波吸收片材及其制造方法。本发明将电磁波吸收片材制成在磁性层的两面具有绝缘层的构成。磁性层通过多数的磁性粉末塑性变形并致密地堆积而形成。各个磁性粉末制成用由扁平状软磁性金属粉构成的软磁性金属相，和由在软磁性金属相的表面形成的绝缘膜构成的绝缘相形成的复合磁性体。另外，可以在位于磁性层两侧的绝缘层的一方设置导电体层，并且也可以是由绝缘层覆盖该导电体层的结构。
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公开(公告)号：CN1522449A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN02813367.6
申请日：2002-08-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K9/0088 , C22C30/00 , C22C38/02 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/14 , H01F1/14725 , H01F1/15375 , H01F1/18 , H01F41/0226 , H01F41/0233 , H01Q1/245 , H01Q17/00 , H04B1/3838 , Y10T428/32
Abstract: 由厚度1μm以下的软磁性金属层7和绝缘层6交替进行叠层的叠层体来构成，由于整体厚度为0.2mm以下的叠层软磁性部件5在超过800MHz的高频段内的磁导率良好，所以，将其粘贴到便携式电话上，能够改善与人体头部相反侧的电磁波的辐射效率，而且适合用作SAR对策部件。
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公开(公告)号：CN103325389B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310064317.7
申请日：2013-02-28
CPC classification number: G11B5/3116 , G02B6/4208 , G11B5/105 , G11B5/1278 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头、磁头万向节组件、磁头臂组件、磁盘单元和光传输单元。本发明的热辅助磁记录头包括：激光光源，具有发射面，激光从发射面发射；波导，具有芯和包层，从激光光源发射的激光在芯中传播，包层包围芯；磁极；以及等离子体激元发生器。芯和包层分别具有面向发射面的端面，包层的端面抑制激光向激光光源返回。
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公开(公告)号：CN103325389A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310064317.7
申请日：2013-02-28
CPC classification number: G11B5/3116 , G02B6/4208 , G11B5/105 , G11B5/1278 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录头、磁头万向节组件、磁头臂组件、磁盘单元和光传输单元。本发明的热辅助磁记录头包括：激光光源，具有发射面，激光从发射面发射；波导，具有芯和包层，从激光光源发射的激光在芯中传播，包层包围芯；磁极；以及等离子体激元发生器。芯和包层分别具有面向发射面的端面，包层的端面抑制激光向激光光源返回。
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