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公开(公告)号：CN100538875C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410054544.2
申请日：2004-07-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/12
Abstract: 提供一种具有紧凑结构、并可进行有效利用了由写入电流形成的磁场的稳定动作，而且高精度形成的磁存储器装置。由于在磁轭4的至少一部分中采用镀膜，因而与由干成膜法来形成的场合相比，可得到足够的厚度及高尺寸精度。因此可有效地形成更稳定的回流磁场34，可确保高可靠性。而且可将相邻存储单元1之间的间隔配置得更窄，适于高集成化及高密度化。
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公开(公告)号：CN100466095C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410085615.5
申请日：2004-10-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1675
Abstract: 提供一种能够高效率地利用因导线上流动的电流而形成的磁场、使信息写入稳定进行的磁阻效应元件以及设有该元件的磁存储器。使与一对磁轭(4a、4b)的回转方向垂直的截面的面积分别在与层叠体(S20a、S20b)相向的连接部分(14a、14b)成为最小而构成。由此能够使通过写入电流在写入位线(5a、5b)及写入字线(6)中流动而产生的回流磁场(16a、16b)的磁通密度在连接部分(14a、14b)最高，使有效、稳定的信息写入成为可能。
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公开(公告)号：CN1716467A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082194.5
申请日：2005-07-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L28/10 , H01F17/0006 , H01F27/34 , H01F41/041 , H01F2017/0093
Abstract: 提供一种能够通过尽可能地降低电容量来提高差分传送特性的线圈构造体。构成共态扼流线圈，使构成薄膜线圈(30)的两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形。根据两个线圈图案(31、32)的截面都具有左右非对称的倒梯形的构造特征，将与电容量有关的两个线圈图案(31、32)之间的对置面积尽可能地减小，所以能够尽可能地减小薄膜线圈(30)的电容量。
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公开(公告)号：CN1606094A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410085615.5
申请日：2004-10-10
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1675
Abstract: 提供一种能够高效率地利用因导线上流动的电流而形成的磁场、使信息写入稳定进行的磁阻效应元件以及设有该元件的磁存储器。使与一对磁轭(4a、4b)的回转方向垂直的截面的面积分别在与层叠体(S20a、S20b)相向的连接部分(14a、14b)成为最小而构成。由此能够使通过写入电流在写入位线(5a、5b)及写入字线(6)中流动而产生的回流磁场(16a、16b)的磁通密度在连接部分(14a、14b)最高，使有效、稳定的信息写入成为可能。
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公开(公告)号：CN1577614A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054544.2
申请日：2004-07-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L43/12
Abstract: 提供一种具有紧凑结构、并可进行有效利用了由写入电流形成的磁场的稳定动作，而且高精度形成的磁存储器装置。由于在磁轭4的至少一部分中采用镀膜，因而与由干成膜法来形成的场合相比，可得到足够的厚度及高尺寸精度。因此可有效地形成更稳定的回流磁场34，可确保高可靠性。而且可将相邻存储单元1之间的间隔配置得更窄，适于高集成化及高密度化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110876107B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910806650.8
申请日：2019-08-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明的MEMS传声器(10)包括基板(20)以及设置在基板(20)上、将声音转换成电信号的第1转换部(10A)和第2转换部(10B)，第1转换部(10A)具有第1贯通孔(21A)、覆盖第1贯通孔(21A)的第1膜片(30A)和隔着第1气隙(G1)与第1膜片(30A)面对面的第1背板(40A)，第2转换部(10B)具有第2贯通孔(21B)、覆盖第2贯通孔(21B)的第2膜片(30B)和隔着第2气隙(G2)与第2膜片(30B)面对面的第2背板(40B)，在基板(20)的厚度方向上，第2气隙(G2)的尺寸(T2)大于第1气隙(G1)的尺寸(T1)。
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公开(公告)号：CN1610000B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410087732.5
申请日：2004-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种能够高效利用由写入线上流动的电流形成的磁场，稳定地进行信息写入，且设计上自由度高的磁存储器件。具有为围住写入字线(6)及写入位线(5)而沿环回方向环状配置的、具有隔着设于环回方向上的一部分的间隙而互相对向的一对开放端(K4)的磁轭(4)以及包含其磁化方向随外部磁场变化而变化的第二磁性层(8)且具有一对端面(K20)的层叠体(S20)，层叠体(S20)配置在间隙中，使一对端面(K20)的各端面与一对开放端(K4)的每一端互相对向。从而能够高效地进行第二磁性层(8)的磁化反转，并且与层叠体和磁轭互相连接的情况相比，能够在大的范围内选择构成层叠体(S20)的材料，充分发挥层叠体的磁性能和电性能。
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公开(公告)号：CN100524020C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510116592.4
申请日：2005-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 上岛聪史
IPC: G03F7/00 , G03F7/037 , C09D179/08 , H01F10/26 , H01F41/14
CPC classification number: G03F7/0387 , H01F17/0006 , H01F41/042 , H05K3/0023 , H05K3/28 , H05K2201/0154 , H05K2203/0577
Abstract: 本发明提供了一种在金属导体32上形成光敏性聚酰亚胺图案38的方法，包括以这个顺序执行下列(A)到(E)的步骤：(A)通过在金属导体32上涂敷酯键型光敏性聚酰亚胺前体组合物形成酯键型光敏性聚酰亚胺前体层33的步骤；(B)通过在前体层33上涂敷离子键型光敏性聚酰亚胺前体组合物，形成离子键型光敏性聚酰亚胺前体层34直到前体层34的厚度达到所需厚度的步骤；(C)通过掩模35曝光以转移作为潜像36的掩模图案到前体层33和34上的步骤；(D)显影步骤；和(E)通过固化已显影聚体层33和34，形成聚酰亚胺图案38的步骤。
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公开(公告)号：CN1783366A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510131504.8
申请日：2005-09-30
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 上岛聪史
CPC classification number: H01F41/041 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/323 , H01F41/046
Abstract: 在电子装置中，在位于装置内部的金属导体(23和27)上的绝缘层24，26和28由酚醛清漆树脂制成的绝缘层形成，在这些绝缘层上覆盖由聚酰亚胺组成的绝缘层用作绝缘层(30)并露在装置的表面上。这样可以阻止每一绝缘层(24，26和28)的一部分开口露出金属导体的情形，重新加工也可以容易的实行。采用由聚酰亚胺树脂组成的绝缘层作为暴露在装置表面上的绝缘层(30)，提供了优异的耐候性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110876108B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910806651.2
申请日：2019-08-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种MEMS传声器，MEMS传声器(10)包括基板(20)以及设置在基板(20)上、将声音转换成电信号的第1转换部(10A)和第2转换部(10B)，第1转换部(10A)具有第1贯通孔(21A)、覆盖第1贯通孔(21A)的第1膜片(30A)和隔着第1气隙(G1)与第1膜片(30A)面对面的第1背板(40A)，第2转换部(10B)具有第2贯通孔(21B)、覆盖第2贯通孔(21B)的第2膜片(30B)和隔着第2气隙(G2)与第2膜片(30B)面对面的第2背板(40B)，从基板(20)的厚度方向看，第2膜片(30B)的面积为第1膜片(30A)的面积的1.21倍以上2.25倍以下。
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