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公开(公告)号：CN110233184A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910167048.4
申请日：2019-03-06
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/054
Abstract: 一种太阳能电池板，该太阳能电池板包括：太阳能电池；密封构件，所述密封构件用于密封所述太阳能电池；第一盖构件，所述第一盖构件设置在所述太阳能电池的一侧处的所述密封构件上；以及第二盖构件，所述第二盖构件设置在所述太阳能电池的另一侧处的所述密封构件上，其中，所述第一盖构件包括基部构件和着色部，该着色部的透光率低于所述基部构件的透光率并构成着色区域。在这种情况下，着色部包括各由氧化物陶瓷合成物形成并具有不同颜色或不同的透光率的至少两层。
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公开(公告)号：CN107845689A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN106252458B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610596438.X
申请日：2016-06-08
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L21/02131 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/547
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。
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公开(公告)号：CN114097098A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080048738.9
申请日：2020-04-09
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0203 , H01L31/048 , H01L31/0216
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种制造用于太阳能电池板的图形覆盖基板的方法包括以下步骤：在转移构件上形成由陶瓷材料层构成的覆盖层的覆盖层施加步骤；将覆盖层转移至基础构件上的转移步骤；以及通过回火或半回火具有覆盖层的基础构件来形成覆盖单元的回火步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107845689B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710437172.9
申请日：2017-06-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN105390558B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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公开(公告)号：CN105390558A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514775.5
申请日：2015-08-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
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公开(公告)号：CN110233184B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910167048.4
申请日：2019-03-06
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/054
Abstract: 一种太阳能电池板，该太阳能电池板包括：太阳能电池；密封构件，所述密封构件用于密封所述太阳能电池；第一盖构件，所述第一盖构件设置在所述太阳能电池的一侧处的所述密封构件上；以及第二盖构件，所述第二盖构件设置在所述太阳能电池的另一侧处的所述密封构件上，其中，所述第一盖构件包括基部构件和着色部，该着色部的透光率低于所述基部构件的透光率并构成着色区域。在这种情况下，着色部包括各由氧化物陶瓷合成物形成并具有不同颜色或不同的透光率的至少两层。
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公开(公告)号：CN106252458A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610596438.X
申请日：2016-06-08
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L21/02131 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , H01L31/18 , H01L21/02318
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤：在包括基区的半导体基板之上使用绝缘膜形成保护膜，该基区具有第一导电类型并且由晶体硅形成。所述形成的步骤包括在包括具有卤素元素的卤素气体的气体环境下在600摄氏度或更高的热处理温度下执行热处理工艺。
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