-
公开(公告)号：CN119768911A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380055274.8
申请日：2023-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H10H20/825 , H10H20/812 , H10H20/83 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种包括半导体发光器件的显示装置。本发明的包括半导体发光器件的显示装置可以包括：彼此隔开的第一组装电极和第二组装电极；电介质层，配置在所述第一组装电极和所述第二组装电极上；绝缘层，具有规定的组装孔，配置在所述电介质层上；半导体发光器件，配置于所述组装孔。所述组装孔的高度可以是4.0μm以上。
-
公开(公告)号：CN101297367A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680039631.8
申请日：2006-10-31
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B20/1883 , G11B2020/1823 , G11B2020/1826 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/2541
Abstract: 本发明公开了一种记录介质、以及在记录介质上记录缺陷管理信息的方法和装置。用于记录记录介质的缺陷管理信息的方法包括：在记录介质上记录缺陷条目，其中该缺陷条目包括：可识别缺陷条目类型的第一字段、记录用户数据区内的缺陷区的位置信息的第二字段、以及记录备用区内的替换区的位置信息的第三字段，以及根据由第一字段确定的缺陷条目类型记录对应于第二字段和/或第三字段的位置信息，其中，在缺陷条目类型不具有对应的位置信息的情形中，将对应的字段设置为零(0)。
-
公开(公告)号：CN119605335A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202280098209.9
申请日：2022-07-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H10H29/30 , H10D86/60 , H01L25/075 , H10H20/825 , H10H29/49
Abstract: 半导体发光器件封装包括：公共连接电极，具有第一区域和第二区域；第一半导体发光器件，位于公共连接电极的第一区域上；一对组装布线，位于公共连接电极的第二区域上；以及第二半导体发光器件，位于一对组装布线上。
-
公开(公告)号：CN119522651A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202280097961.1
申请日：2022-07-15
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H10H29/30 , H01L25/075 , H10H29/80 , H10H29/85 , H10H20/831
Abstract: 半导体发光器件封装包括具有第一区域和第二区域的半导体基板、半导体基板的第一区域上的第一半导体发光器件、半导体基板的第二区域上的一对组装布线、一对组装布线上的第二半导体发光器件和第三半导体发光器件。
-
公开(公告)号：CN114175260A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201980099004.0
申请日：2019-08-07
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本说明书公开了一种以高可靠性转印半导体发光元件的基板以及使用该基板的显示装置的制造方法。具体地，当利用电磁场在组装基板上自组装半导体发光元件时，在所述组装基板形成用于组装对准(Align)用半导体发光元件的组装槽。组装到所述组装槽的对准用半导体发光元件在最终转印到布线基板的步骤中用于对准。与现有的对准键(Align key)不同，所述对准用半导体发光元件反映出在组装之后的转印过程中发生的半导体发光元件的排列误差。因此，当以所述对准用半导体发光元件为基准将半导体发光元件转印到布线基板时，能够提高转印的精确度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101297367B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680039631.8
申请日：2006-10-31
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B20/1883 , G11B2020/1823 , G11B2020/1826 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/2541
Abstract: 本发明公开了一种记录介质、以及在记录介质上记录缺陷管理信息的方法和装置。用于记录记录介质的缺陷管理信息的方法包括：在记录介质上记录缺陷条目，其中该缺陷条目包括：可识别缺陷条目类型的第一字段、记录用户数据区内的缺陷区的位置信息的第二字段、以及记录备用区内的替换区的位置信息的第三字段，以及根据由第一字段确定的缺陷条目类型记录对应于第二字段和/或第三字段的位置信息，其中，在缺陷条目类型不具有对应的位置信息的情形中，将对应的字段设置为零(0)。
-
公开(公告)号：CN114127942A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201980098292.8
申请日：2019-07-10
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种利用了形成有多重钝化层的半导体发光元件来最小化短路不良的微型LED显示装置以及其制造方法。在此，在本发明一实施例的利用了复数个半导体发光元件的显示装置中，特征在于，所述半导体发光元件中的至少一个包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、活性层、第一导电型电极、第二导电型电极以及配置为依次包围第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧面的第一钝化层和第二钝化层，所述第二钝化层位于在所述第一导电型电极和所述第二导电型电极的上部中除了与第一电极和第二电极接触的部分之外的区域。
-
公开(公告)号：CN112534580A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096376.3
申请日：2018-08-29
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 本发明的显示装置具备复数个半导体发光元件，其特征在于，复数个所述半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电型电极和第二导电型电极；第一导电型半导体层，所述第一导电型电极配置于所述第一导电型半导体层；第二导电型半导体层，其与所述第一导电型半导体层重叠，所述第二导电型电极配置于所述第二导电型半导体层；活性层，其配置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；未掺杂(undoped)半导体层，其配置在所述第二导电型半导体层上；以及凸起，其形成在所述未掺杂半导体层上并由能够进行电解研磨(Electro polishing)的多孔材料构成。
-
公开(公告)号：CN118679568A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202280091496.0
申请日：2022-02-17
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/20
Abstract: 显示装置的制造装置包括：腔室，用于设置显示器用基板，并包含有流体；磁体构件，配置在所述显示器用基板的一侧上；以及信号供应装置；所述信号供应装置将第一交流信号调制成第二交流信号，并将已调制的所述第二交流信号供应给所述显示器用基板的电极布线，为了将所述流体中含有的复数个半导体发光器件分别装卸于所述显示器用基板的复数个组装孔，所述第二交流信号周期性地变更介电泳力。
-
公开(公告)号：CN117594625A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311006937.5
申请日：2023-08-10
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 提供一种显示像素用半导体发光器件封装及包括其的半导体发光器件显示装置。所述显示像素用半导体发光器件封装可以包括第一物质的第一颜色的半导体发光器件和配置在所述第一颜色的半导体发光器件上的第二物质的第二颜色的半导体发光器件。所述第一颜色的半导体发光器件可以包括：第一半导体发光结构物，具有内侧凹槽；以及第1‑1电极和第1‑2电极层，对应地与所述第一半导体发光结构物的一侧和另一侧电连接。所述第二颜色的半导体发光器件可以配置在所述第一颜色的半导体发光器件的所述内侧凹槽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.037 seconds)
