公开(公告)号：CN111316171B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201880071537.3

申请日：2018-10-30

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白宗薰 ,  M·C·亚伯拉罕

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 描述了一种清洁极紫外(EUV)光源(100)的腔室(125)内的光学器件(115)的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面(110)并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料，生成包括将已经存在于真空腔室内并且邻近光学器件表面的天然材料(135)从第一状态转变成等离子态(130)。材料的等离子态包括材料的自由基。处于等离子态的材料通过如下被生成：使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面，以在不从EUV光源移除光学器件的情况下从光学器件表面移除碎屑(107)。

公开(公告)号：CN108472497B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201680079709.2

申请日：2016-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白宗薰 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  D·R·埃文斯 ,  J·M·加扎

IPC: A61N5/06 ,  G01J3/10 ,  H05G2/00 ,  B08B6/00

Abstract: 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

公开(公告)号：CN113791523A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111078800.1

申请日：2016-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白宗薰 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  D·R·埃文斯 ,  J·M·加扎

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

公开(公告)号：CN111316171A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880071537.3

申请日：2018-10-30

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白宗薰 ,  M·C·亚伯拉罕

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 描述了一种清洁极紫外(EUV)光源(100)的腔室(125)内的光学器件(115)的表面的方法。腔室被保持在大气压以下的压力处。该方法包括在邻近光学器件表面(110)并且在腔室内的位置处生成处于等离子态的材料，生成包括将已经存在于真空腔室内并且邻近光学器件表面的天然材料(135)从第一状态转变成等离子态(130)。材料的等离子态包括材料的自由基。处于等离子态的材料通过如下被生成：使得处于等离子态的材料能够经过光学器件表面，以在不从EUV光源移除光学器件的情况下从光学器件表面移除碎屑(107)。

公开(公告)号：CN113791523B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111078800.1

申请日：2016-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白宗薰 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  D·R·埃文斯 ,  J·M·加扎

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

公开(公告)号：CN113170566A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980071670.3

申请日：2019-10-25

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： G·O·瓦斯琴科 ,  C·拉加古鲁 ,  A·I·厄肖夫 ,  J·M·卢肯斯 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  B·罗林格

IPC: H05G2/00

Abstract: 公开了一种用于生成EUV辐射的系统，在系统中通过如下控制流过液滴生成器中的喷嘴的孔口320中的目标材料的电流：提供针对电流的交替的较低阻抗路径和/或通过限制施加到液滴生成器的驱动信号的高频分量。

公开(公告)号：CN108472497A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079709.2

申请日：2016-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白钟勋 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  D·R·埃文斯 ,  J·M·加扎

IPC: A61N5/06 ,  G01J3/10 ,  H05G2/00 ,  B08B6/00

CPC classification number: H05G2/005 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70933 ,  H05G2/008

Abstract: 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。