公开(公告)号：CN105334705B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201510484698.3

申请日：2015-08-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 川岛春名

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/702 ,  G02B5/09 ,  G02B5/10 ,  G02B17/0657 ,  G02B19/0019 ,  G02B19/0023 ,  G02B19/0047 ,  G02B19/0095 ,  G03F7/70175

Abstract: 本发明涉及光源装置、照明装置、曝光装置和装置制造方法。提供一种光源装置，该光源装置包括：被配置为从具有预先确定的尺寸的发光区域发射光束的光源；和被配置为会聚光束而允许光束出射到外面的会聚器。发光区域具有旋转对称的发光强度分布。会聚器关于被定义为发光区域的旋转对称轴的光轴旋转对称、被设置为包围发光区域、并且具有分别具有用于反射从发光区域发射的光束的反射表面的四个或更多个反射镜。所述四个或更多个反射镜包含反射表面为椭圆形的椭圆表面反射镜和反射表面为球面的球面反射镜。椭圆表面反射镜和球面反射镜沿所述光轴的方向被交替布置，并且，被一个球面反射镜反射的光束进一步被跨着发光区域相对设置的一个椭圆表面反射镜反射，而允许光束出射到外面。

公开(公告)号：CN103576317B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210248607.2

申请日：2012-07-18

Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司

Inventor： 李家英 ,  周朝明 ,  孙博 ,  陈玉庆 ,  高云峰

IPC: G02B27/09 ,  B23K26/36 ,  B23K26/064

CPC classification number: G02B27/0955 ,  G02B15/14 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0095

Abstract: 本发明适用于激光加工领域，提供了一种紫外激光变倍扩束系统，包括第一、二、三透镜；第一、三透镜为平凸正透镜，第二透镜为凸凹负透镜；第一、二、三透镜分别包括第一、二曲面，第三、四曲面及第五、六曲面；第一至六曲面的曲率半径为∞，-30，10，2.2，∞，-81；第一至三透镜的中心厚度为2，1，4；第一第三透镜的外径为10，3，34；第一至三透镜的折射率与阿贝数的比例为1.57：41，1.48：68，1.57：41；第二、三曲面的间距为6~37；第四、五曲面的间距为114~125，单位mm，公差为5%。该系统可将入射光扩束2~16倍，可适应不同出射直径及发散角的激光器，提高了激光加工的效率及精度。

公开(公告)号：CN102088054B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201010513380.0

申请日：2010-10-15

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 闵凤杰

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54

CPC classification number: F21V5/04 ,  F21V7/0066 ,  F21Y2115/10 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0071 ,  G02B19/0095 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种发光设备。该发光设备包括：组件本体；第一电极和第二电极；发光装置，该发光装置电连接到第一电极和第二电极，并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，该有源层位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；以及透镜，该透镜被支撑在组件本体上，并且该透镜的至少一部分包括反射结构。所述组件本体包括第一空腔，第一电极和第二电极的一端暴露于第一空腔中，且第一电极和第二电极的另一端在所述组件本体的横向侧暴露，并且在第一电极的暴露于第一空腔中的预定部分处形成有第二空腔。

公开(公告)号：CN102696123A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201180005656.7

申请日：2011-01-07

Applicant: 首尔半导体株式会社

Inventor： 朴光日 ,  李相哲 ,  韩玎儿 ,  黄雄俊 ,  吴熙铎

IPC: H01L33/58

CPC classification number: F21V5/046 ,  F21V5/04 ,  F21W2131/103 ,  F21Y2101/02 ,  F21Y2115/10 ,  G02B3/04 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0955 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一方面所提供的非球面LED透镜的特征在于以中心轴为中心形成辐射状对称，且包括：所述中心轴附近凹入而下陷的出光面；由顶点位于所述中心轴上的圆锥形面形成的入光面，所述出光面中侧面的局部形成有多个凸起。由此，将包括所述非球面LED透镜的发光装置应用于显示装置时，能够均匀化面板的照明度的同时显著地减小色差。

公开(公告)号：CN101467275B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780022122.9

申请日：2007-06-11

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 迈克尔·A·哈斯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0071 ,  G02B19/0095 ,  H01L33/08 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种包括具有发射表面的LED部件的光源，所述光源可以包括：i)能够以第一波长发射光的LED；和ii)再发光半导体构造，所述再发光半导体构造具有不位于pn结内的第二势阱，并具有发射表面；或所述再发光半导体构造可以交替具有位于pn结内的第一势阱和不位于pn结内的第二势阱；以及所述再发光半导体构造另外具有会聚光学元件。

公开(公告)号：CN102165356A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137753.4

申请日：2009-09-18

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·托迪尼

IPC: G02B17/08

CPC classification number: F21V13/04 ,  F21V5/04 ,  F21W2131/405 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0095

Abstract: 本发明涉及光照系统（10）、照明器（102）、准直器（30）以及显示设备（200）。依照本发明的光照系统包括光源（20）和准直器。该光源被设置成发射围绕对称轴（22）的基本上朗伯型的光分布。折射式准直器被配置成重新定向来自光源的光以便至少部分地照射光照表面（50），其中该光照表面的至少一部分基本上平行于对称轴。折射式准直器包括凹形入射窗（34）和用于朝光照表面折射光的至少部分地为凸形的出射窗（40）。依照本发明的光照系统具有以下效果：可以借助于使用折射式准直器而降低光照系统的高度。

公开(公告)号：CN102088054A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010513380.0

申请日：2010-10-15

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 闵凤杰

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54

CPC classification number: F21V5/04 ,  F21V7/0066 ,  F21Y2115/10 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0071 ,  G02B19/0095 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了一种发光设备。该发光设备包括：组件本体；第一电极和第二电极；发光装置，该发光装置电连接到第一电极和第二电极，并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，该有源层位于第一导电半导体层与第二导电半导体层之间；以及透镜，该透镜被支撑在组件本体上，并且该透镜的至少一部分包括反射结构。所述组件本体包括第一空腔，第一电极和第二电极的一端暴露于第一空腔中，且第一电极和第二电极的另一端在所述组件本体的横向侧暴露，并且在第一电极的暴露于第一空腔中的预定部分处形成有第二空腔。

公开(公告)号：CN101997266A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010259267.4

申请日：2010-08-19

Applicant: 劳伦斯·利弗莫尔国家安全有限责任公司

Inventor： 安迪·J·贝拉米安

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/06 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B19/0057 ,  G02B19/0009 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0944 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4025

Abstract: 一种光放大器系统包括二极管泵浦阵列，该二极管泵浦阵列包括多个半导体二极管激光棒，该多个半导体二极管激光棒被布置为阵列结构并且以相邻半导体二极管激光棒之间的周期性距离为特征。周期性距离是在垂直于多个半导体二极管激光棒中的每个的第一方向上测量的。该二极管泵浦阵列提供泵浦输出，该泵浦输出沿光路传播并且以根据第一方向测量的并具有大于10％的变化的第一强度分布为特征。该光放大器系统还包括沿光路布置的衍射镜片。该衍射镜片包括光热折射玻璃构件。该光放大器系统还包括放大器板条，其具有沿光路的输入面和位置，并且与衍射镜片间隔预定距离。根据第一方向在放大器板条的输入面处测量的第二强度分布具有小于10％的变化。

公开(公告)号：CN101171548B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200680015628.2

申请日：2006-03-31

Applicant: 赛康IP有限责任公司

Inventor： 萨斯查·纳伯尔 ,  约翰·海德

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B41C1/00 ,  B41J2/442 ,  B41J2/47 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0057 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0994

Abstract: 涉及一种具有光源(2)、光调制器(4)和光耦合单元(3)的曝光装置，其中在曝光要曝光的材料所需频谱范围内的射线强度以特别简单和低成本的方式被优化，本发明建议，光源(2)包括至少一个激光二极管(7)。

公开(公告)号：CN108472497A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079709.2

申请日：2016-12-13

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 白钟勋 ,  M·C·亚伯拉罕 ,  D·R·埃文斯 ,  J·M·加扎

IPC: A61N5/06 ,  G01J3/10 ,  H05G2/00 ,  B08B6/00

CPC classification number: H05G2/005 ,  G02B19/0095 ,  G02B27/0006 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70175 ,  G03F7/70925 ,  G03F7/70933 ,  H05G2/008

Abstract: 一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。