公开(公告)号：CN119384636A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202380046741.0

申请日：2023-05-15

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 谢伟新 ,  张大彤 ,  朱学晨 ,  邓耀光 ,  黄俊维 ,  王礼祈

IPC: G03F7/00 ,  G01N21/956 ,  G01R31/307 ,  H01L21/66 ,  H01J37/22

Abstract: 公开了使用带电粒子束装置检测样品中的缺陷的系统和方法。该装置可以包括被配置为发射带电粒子的带电粒子源和包括电路系统的控制器，该电路系统被配置为：使用初级带电粒子束的第一剂量的带电粒子照射样品的包括多个特征的区域；使用初级带电粒子束的第二剂量的带电粒子来检查多个特征，获取所检查的多个特征的图像；以及基于多个特征中的特征的灰度级值来确定是否存在缺陷，其中第一剂量小于饱和剂量，并且其中饱和剂量包括超过特征的电荷存储容量的带电粒子的总数。

公开(公告)号：CN119301639A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043401.2

申请日：2023-07-06

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 金生程 ,  张大彤 ,  朱学晨 ,  任志榆 ,  唐亮 ,  叶襄廷

IPC: G06T7/00

Abstract: 公开了一种改进的方法和系统，用于使用检查图像进行瞬态缺陷检查。该方法包括：获取多个检查图像，生成该多个检查图像的平均图像，检测该平均图像中的第一类型缺陷，确定与该第一类型缺陷相对应的掩模区，以及确定该多个检查图像在非掩模区中是否具有第二类型缺陷。

公开(公告)号：CN118103942A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068587.2

申请日：2022-09-14

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 朱学晨 ,  F·塔泽什 ,  张大彤 ,  任伟明

IPC: H01J37/244

Abstract: 一些实施例涉及用于形成掩埋结构的图像的方法或装置，其包括：从源发射初级带电粒子；接收来自样品的多个次级带电粒子；以及基于所接收的具有第一范围内的能量的次级带电粒子来形成图像。