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公开(公告)号：CN1409667A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN00817204.8
申请日：2000-10-27
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/265 , B41M5/38214 , B41M5/395 , G02B5/201 , G02F1/133512 , H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H05B33/10 , Y10S428/917 , Y10S430/146
Abstract: 一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，其特征在于，上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。使用该供片，可通过缩短的制造工艺，容易且准确地制造滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底、有机EL元件的分隔壁等隔离部件，而且，可赋予隔离部件以优异的斥印墨性。
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公开(公告)号：CN1219656C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN00817204.8
申请日：2000-10-27
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/265 , B41M5/38214 , B41M5/395 , G02B5/201 , G02F1/133512 , H01L27/3246 , H01L27/3283 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/0013 , H01L51/5012 , H01L51/56 , H05B33/10 , Y10S428/917 , Y10S430/146
Abstract: 一种用于用激光热成像法将图像图形转印至图象接收元件的供片，它具有基材、在基材上依次形成的光热转换层和转印层，所述转印层含有因该光热转换层的作用而被加热熔融、以图形形状转印在图象接收元件上的图象成分，其特征在于，上述转印层的图象成分含有最佳量的斥印墨性或斥溶剂性的化合物。使用该供片，可通过缩短的制造工艺，容易且准确地制造滤色片的分隔筋、液晶显示装置的黑底、有机EL元件的分隔壁等隔离部件，而且，可赋予隔离部件以优异的斥印墨性。
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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN100521160C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510087997.X
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种转移方法，包括：提供基板；在上述基板上形成被转移层；使转移体与上述被转移层结合；和将上述被转移层从上述基板移走，而将上述被转移层转移到上述转移体；再使用上述基板于另一转移。
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公开(公告)号：CN100477251C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101652.X
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光元件的方法，包括下列步骤：在衬底之上形成多个像素电极，其中包括第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极；在第一像素电极之上形成红色发光层；在所述第二像素电极之上形成绿色发光层；在所述第三像素电极、所述红色发光层和所述绿色发光层之上形成蓝色发光层；在所述蓝色发光层之上形成反电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405530C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200310119973.9
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供了一种薄膜器件制造方法，其特征在于：准备具有多个排出口的涂敷液排出喷嘴；相对地改变基板与所述多个涂敷液排出喷嘴的位置，同时使所述涂敷液只排出到基板上的涂敷区上，在基板上形成构图了的涂敷膜。根据本发明方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
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公开(公告)号：CN100352039C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510052587.1
申请日：2001-08-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11585 , H01L27/1159
Abstract: 一种单矩阵型强电介质存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在纯缘性基体上形成多个槽的工序，在上述绝缘性基体上形成金属层以便填充上述槽的工序，通过对上述金属层进行研磨使上述绝缘性基体和上述金属层表面平坦化，在上述槽内形成第1信号电极的上述平坦化工序，在上述绝缘性基体和上述第1信号电极上形成强电介质层的工序，以及在上述强电介质层上与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。
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公开(公告)号：CN1953239A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610101662.3
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种制造有机电致发光元件的方法，包括下列步骤：形成一个像素电极；在所述像素电极之上形成空穴注入输送层；在所述空穴注入输送层之上形成发光层，其中，所述发光层和所述空穴注入输送层的材料处于相互浸透的状态且在所述发光层和所述空穴注入输送层的界面附近彼此扩散进入。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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