公开(公告)号：CN115918287B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202180050863.8

申请日：2021-07-09

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： K·K·奥鲁甘蒂 ,  S·古拉姆 ,  V·B·R·萨穆 ,  P·J·科德利佩特 ,  D·辛格 ,  C·德塞 ,  S·沙玛 ,  A·斯里坎特 ,  Y·高

IPC: H10B10/00

Abstract: IC包括第一存储器块、第二存储器块以及在第一存储器块与第二存储器块之间的第一存储器边界单元。第一存储器边界单元包括在该单元的第一侧上的、到第一存储器块的第一存储器核端盖。第一存储器边界单元还包括在该单元的第二侧上的、到第二存储器块的第二存储器核端盖。第二侧与第一侧相对。第一存储器边界单元还包括在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间的存储器间隙部分。存储器间隙部分在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间提供间隙。

公开(公告)号：CN115918287A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180050863.8

申请日：2021-07-09

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： K·K·奥鲁甘蒂 ,  S·古拉姆 ,  V·B·R·萨穆 ,  P·J·科德利佩特 ,  D·辛格 ,  C·德塞 ,  S·沙玛 ,  A·斯里坎特 ,  Y·高

IPC: H10B10/00

Abstract: IC包括第一存储器块、第二存储器块以及在第一存储器块与第二存储器块之间的第一存储器边界单元。第一存储器边界单元包括在该单元的第一侧上的、到第一存储器块的第一存储器核端盖。第一存储器边界单元还包括在该单元的第二侧上的、到第二存储器块的第二存储器核端盖。第二侧与第一侧相对。第一存储器边界单元还包括在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间的存储器间隙部分。存储器间隙部分在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间提供间隙。