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公开(公告)号：CN117015828A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280019142.5
申请日：2022-02-09
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: G11C11/414
Abstract: 公开了一种SRAM阵列电路，其中第一行中的阱抽头单元的水平N阱通过P型衬底区域与第二行中的阱抽头单元的水平N阱分离。阱抽头单元包括在P型衬底区域中设置在第一行和第二行中的水平N阱之间的双侧P型阱抽头，该双侧P型阱抽头在SRAM阵列电路中的阱抽头单元的列的两侧上向P型衬底提供接地电压，而不是每侧一个P型阱抽头。没有垂直N阱的阱抽头单元减小了宽度，这对应于SRAM阵列电路的宽度的减小。P型注入区域中的双侧P型阱抽头可以包括向P型衬底提供接地电压的多个折叠指状物。
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公开(公告)号：CN116134979A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180056712.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: 公开了采用非对称宽度读取字线和写入字线(WWL)以减少存储器写入延时和改进存储器写入访问性能的静态随机存取存储器(SRAM)位单元，以及相关的制造方法。在示例性方面，SRAM位单元基于通过采用减少宽度的读取字线实现的电路单元布局面积节省，而采用增加宽度的写入字线。增加写入字线的宽度可以减少写入字线的电阻，并且从而减小针对SRAM位单元的存储器写入延时。在某些示例性方面，SRAM位单元的金属线节距和金属线之间的最小距离可以被维持，以在减小SRAM位单元的写入字线的电阻的情况下，维持与现有制造过程的制造兼容性。
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公开(公告)号：CN104756588A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380056423.9
申请日：2013-10-28
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 本公开涉及在无线用户设备(500B；600B；700A)处主存群呼叫。一实施例由该无线用户设备接收(520；810)多个客户端设备(500A；500B；500C；600A；600B；600C；600D)的注册信息，由该无线用户设备接收(610；830)对这多个客户端设备中的两个或更多个客户端设备间的呼叫的呼叫请求，由该无线用户设备建立(620；710；840)这多个客户端设备中的这两个或更多个客户端设备间的呼叫，由该无线用户设备接收(670；850)媒体流，以及由该无线用户设备将媒体流传送(680；750；860)给这多个客户端设备中的这两个或更多个客户端设备中的至少一者。
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公开(公告)号：CN104541476A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042699.1
申请日：2013-08-12
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H04L12/18
CPC classification number: H04W4/08 , H04L12/1818 , H04L63/065 , H04M1/2755 , H04W12/003 , H04W12/00522
Abstract: 各个实施例的系统、方法和设备使得能够动态地创建并且加入群通信会话，而无需(即，“免于”)运营商控制或运营商辅助的置备。通过以条形码(诸如，快速响应码(“QR码”))来编码参与者可以使用其移动通信设备(例如，智能电话)进行扫描的群呼叫置备信息，可以在通信设备上创建并且置备群呼叫。QR码对发起和/或加入群通信服务器维护的群通信会话所需的信息进行编码。
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公开(公告)号：CN115918287B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202180050863.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: IC包括第一存储器块、第二存储器块以及在第一存储器块与第二存储器块之间的第一存储器边界单元。第一存储器边界单元包括在该单元的第一侧上的、到第一存储器块的第一存储器核端盖。第一存储器边界单元还包括在该单元的第二侧上的、到第二存储器块的第二存储器核端盖。第二侧与第一侧相对。第一存储器边界单元还包括在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间的存储器间隙部分。存储器间隙部分在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间提供间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115918287A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180050863.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H10B10/00
Abstract: IC包括第一存储器块、第二存储器块以及在第一存储器块与第二存储器块之间的第一存储器边界单元。第一存储器边界单元包括在该单元的第一侧上的、到第一存储器块的第一存储器核端盖。第一存储器边界单元还包括在该单元的第二侧上的、到第二存储器块的第二存储器核端盖。第二侧与第一侧相对。第一存储器边界单元还包括在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间的存储器间隙部分。存储器间隙部分在第一存储器核端盖与第二存储器核端盖之间提供间隙。
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公开(公告)号：CN107113590A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580057861.6
申请日：2015-09-17
Applicant: 高通股份有限公司
Abstract: 在一实施例中，UE获取与来自该UE所注册到的群的集合中的给定群通信的一个或多个法定人数条件。UE通过P2P接口搜索以标识注册到该给定群并且在该UE近程的一个或多个群成员。UE确定所标识的一个或多个群成员是否足以满足该一个或多个法定人数条件中的至少一者(例如，所发现成员数目是否超过阈值，无论是在成员绝对数还是作为用户群的百分比的意义上)。如果确定至少一个法定人数条件被满足，则该UE选择性地触发与该给定群相关联的通信动作。
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公开(公告)号：CN107005789A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062127.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 高通股份有限公司
CPC classification number: H04W4/023 , B60R16/037 , E05F15/77 , H04W4/029 , H04W4/40 , H04W4/48 , H04W4/70 , H04W4/046
Abstract: 一种用于将移动计算设备与座位环境中的特定座位相关联的系统和方法。该系统基于在座位环境内检测到的活动来从第一移动计算设备的设备传感器收集第一传感器数据。该系统然后至少部分地基于第一传感器数据来为座位环境中的多个座位中的每一者确定与移动计算设备的相关度，并且将该移动计算设备与该多个座位之中具有与第一移动计算设备的最高相关度的座位相关联。
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公开(公告)号：CN104885487A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069113.0
申请日：2013-12-26
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H04W4/10
CPC classification number: G06F3/0481 , H04W4/10
Abstract: 提供了使得群通信会话参与者能够基于媒体的发送者的身份来指定他或她的计算设备处置/渲染从其他群通信会话参与者接收到的媒体的方式的框架。各个实施例使得群通信参与者能够基于接收到的媒体的类型以及与接收到的媒体相关联的发送者ID(即，讲话者ID)来管理他或她的计算设备的各个接口上的媒体呈现。在一实施例中，可使得用户能够在群通信会话期间动态地切换媒体处置设置。
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公开(公告)号：CN116325155A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180063394.3
申请日：2021-08-09
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: SRAM单元电路在存储电路有源区与读取端口电路有源区之间具有最小距离以减小面积。SRAM单元电路形成在存储电路有源区和读取端口有源区中的FinFET中，存储电路有源区和读取端口有源区各自包括衬底的一个或多个扩散区。设计规则约束限制相邻平行鳍部之间的最小中心到中心距离。SRAM位单元具有减小的总面积，这是因为，存储电路有源区与读取端口有源区之间的距离减小到最小间隔距离，该最小间隔距离在相邻鳍部之间的最小中心到中心距离的1.0倍到2.15倍之间。使间隔距离最小化可以包括将写入存取晶体管的栅极接触部从存储电路有源区与读取端口有源区之间的位置重新定位到与存储电路有源区交叠的位置。
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