公开(公告)号：CN119678210A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202380057987.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： V·范德维恩 ,  P·德希穆克 ,  B·达什蒂波尔 ,  D·哈特利 ,  M·塞弗丁

IPC: G11C11/406 ,  G06F13/16

Abstract: 可在组织成两行或更多行的子存储库的DRAM中缓解一种被称为“行锤”的效应。可检测面向子存储库的行激活命令。可对在刷新窗口内发生的行激活命令的数量进行计数，并且将该数量与阈值进行比较。当检测到该刷新窗口内的行激活命令的数量超过该阈值时，可向该DRAM提供附加刷新命令。

公开(公告)号：CN119032349A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034538.1

申请日：2023-04-05

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： E·伊派克 ,  H·奥马尔 ,  B·雷赫利克 ,  S·R·库安尔 ,  B·达什蒂波尔 ,  M·H·罗 ,  J·格玛 ,  M·西弗森 ,  G·帕特西拉拉斯 ,  A·E·特纳

IPC: G06F13/16 ,  G11C11/406

Abstract: 公开了用于存储器设备的选择性刷新技术。在一个方面，与具有对某些存储器段的频繁重复读取或写入命令的应用一起使用的存储器设备可能能够设置使这些某些存储器段免于被主动刷新的标志或类似指示。通过使这些存储器段免于被主动刷新，这些存储器段得以连续使用，从而提高了性能。同样，因为这些存储器段频繁成为读取或写入命令的对象，所以通过执行该读取或写入命令来间接刷新这些存储器段。

公开(公告)号：CN116261754A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180068055.4

申请日：2021-08-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： V·范德维恩 ,  M·塞弗丁 ,  P·德希穆克 ,  B·达什蒂波尔 ,  D·哈特利

IPC: G11C11/406

Abstract: 提供标识标记命令的DRAM存储器控制器，该标记命令指向DRAM中的给定行。如果响应于标识到标记命令而满足阈值概率，则DRAM存储器控制器命令DRAM刷新DRAM中的相邻行。该相邻行可以与给定行或最近关闭的行相邻。