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公开(公告)号：CN104104361A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310190891.7
申请日：2013-04-08
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H03K3/3565
Abstract: 本发明涉及比较器和时钟信号生成电路。用于时钟信号生成电路的比较器具有耦合到比较器输入信号的第一和第二输入晶体管。第一和第二滞后晶体管耦合在输入晶体管和比较器的输出级之间，并应用滞后到输入信号的比较。第一和第二滞后控制晶体管耦合在输入晶体管和滞后晶体管之间以在滞后使能信号的控制下隔离滞后晶体管与输入晶体管。
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公开(公告)号：CN103972944A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310044701.0
申请日：2013-02-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H02J7/0052 , H02J2007/0062 , H03F3/45183
Abstract: 本发明提供自适应电压放大器和电池充电器检测。一种放大器将自适应电压施加到输出端子。一种偏置电路在不存在与输出端子连接的上拉电阻时的第一外部连接条件下提供比当这样的上拉电阻存在时更大的偏置电流。所述放大器在不存在上拉电阻时将不同于当这样的上拉电阻存在时的电压施加到输出端子。所述电路可被用在用于通过连接器从电池充电器接收充电电流的便携式装置中，所述连接器具有用于与电池充电器连接的D+管脚，并且与放大器输出端子连接以用于电池充电器检测。所述便携式装置可满足USB电池充电器规范修订1.2。
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公开(公告)号：CN103972944B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201310044701.0
申请日：2013-02-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H02J7/0052 , H02J2007/0062 , H03F3/45183
Abstract: 提供自适应电压放大器和电池充电器检测。一种放大器将自适应电压施加到输出端子。一种偏置电路在不存在与输出端子连接的上拉电阻时的第一外部连接条件下提供比当这样的上拉电阻存在时更大的偏置电流。所述放大器在不存在上拉电阻时将不同于当这样的上拉电阻存在时的电压施加到输出端子。所述电路可被用在用于通过连接器从电池充电器接收充电电流的便携式装置中，所述连接器具有用于与电池充电器连接的D+管脚，并且与放大器输出端子连接以用于电池充电器检测。所述便携式装置可满足USB电池充电器规范修订1.2。
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公开(公告)号：CN106160717A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510325845.2
申请日：2015-04-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本公开涉及传输门电路。一种传输门电路包括通路门和控制电路，并且在特征模式下提供对闪存存储器的高压保护和在正常模式下提供具有真正的漏极开路功能的低电阻路径。与通路门串联的本征NMOSFET为额外的电路提供过压保护。阱偏置、栅极跟踪和内部节点钳位电路确保通路门和控制电路的全部器件工作在安全工作电压电平内。可以由使能信号选择两种工作模式。在真正的漏极开路模式下，传输门电路能够支持直至5.5伏特的输入，同时提供3.3伏特的输入/输出电源电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959863B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180032138.4
申请日：2011-05-09
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K17/16 , H03K19/003
CPC classification number: H03K17/102
Abstract: 传输门电路（11）包括第一传输门（201），具有第一开关器件（205）串联耦合于第二传输门（203），具有第二开关器件，以及将第一传输门电路和第二传输门电路放置到导电状态以提供通过第一传输门和第二传输门的导电路径的控制电路。当第一端子的电压高于第一电压水平以及在至少第一和第二开关器件的安全操作电压区域外时，第一开关器件维持在其安全操作电压区域内以及第二开关器件维持在其安全操作电压区域内。
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公开(公告)号：CN103297034A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210047612.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356182
Abstract: 本发明涉及电压电平移位器。电压电平移位器具有输入电路，其具有耦接到输入节点的反相器、栅极耦接到所述反相器的第一节点的下拉控制晶体管、以及栅极耦接到所述反相器的第二节点的上拉控制晶体管。下拉和上拉控制晶体管的源极耦接到低参考电压。瞬态连通性限制器(TCL)具有下拉和上拉晶体管。两个控制输入耦接到所述反相器的相应的第一和第二节点，并且路径输入耦接到下拉和上拉控制晶体管的相应的漏极。输出电路具有耦接到TCL的上拉和下拉节点的输入。在输入节点处的电压电平转换期间，TCL通过TCL上拉晶体管从饱和操作区转换到亚阈值而将上拉节点连接到所述低参考电压。
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公开(公告)号：CN102959863A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032138.4
申请日：2011-05-09
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K17/16 , H03K19/003
CPC classification number: H03K17/102
Abstract: 传输门电路（11）包括第一传输门（201），具有第一开关器件（205）串联耦合于第二传输门（203），具有第二开关器件，以及将第一传输门电路和第二传输门电路放置到导电状态以提供通过第一传输门和第二传输门的导电路径的控制电路。当第一端子的电压高于第一电压水平以及在至少第一和第二开关器件的安全操作电压区域外时，第一开关器件维持在其安全操作电压区域内以及第二开关器件维持在其安全操作电压区域内。
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公开(公告)号：CN105897246A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410858363.9
申请日：2014-12-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 一种用于高电压应用的电压电平移位器具有低电压域电流镜，所述低电压域电流镜具有第一支路和第二支路。高电压开关和电阻器与第二支路串联连接。输出级提供输出信号，所述输出信号是横跨电阻器的电压差的函数，所述输出级和电阻器在高电压域中。在低电压域中的输入信号的有效在第一支路中产生第一电流，使得高电压开关在电阻器中传送来自第二支路的第二电流，所述第二电流是第一电流的函数，并且产生横跨电阻器的电压差。只有高电压开关需要具有高击穿电压特性。
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公开(公告)号：CN104952866A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410117590.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L27/0285 , H01L27/0274 , H01L29/1087 , H01L29/4238 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路电气保护装置包括半导体衬底和划分为区段（231-234）的多个晶体管指状物（240）。区段（231-234）在由相邻的区段共享的源极/漏极区域（252）内由彼此（231-234）间隔开的连阱（221）彼此区分。
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