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公开(公告)号:CN102582254A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110463175.2
申请日:2011-12-05
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808
Abstract: 提供用于形成金属图案的方法和装置。该方法中,引发剂和金属图案依次结合在预形成的粘接剂图案之上,所述粘接剂改善了基板和金属之间的粘附和/或连接性能。因此,与引发剂和金属图案直接地形成在基板上而没有粘接剂图案的情况相比,金属图案可以精密地形成而没有不合需要的图案缺失,并且金属互连线和电极可以形成具有改进的电子和/或电气可靠性。粘接剂图案可以使用反向平版印刷法形成,这将带来提高的产率。金属图案可以使用无电的电化学镀法形成,因此可使氧化的金属层还原,改善金属互连线的电气特性。而且,即使在最后的步骤,金属图案可以形成为在厚度和平坦区域的改进的均匀性。
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公开(公告)号:CN102582254B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110463175.2
申请日:2011-12-05
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808
Abstract: 提供用于形成金属图案的方法和装置。该方法中,引发剂和金属图案依次结合在预形成的粘接剂图案之上,所述粘接剂改善了基板和金属之间的粘附和/或连接性能。因此,与引发剂和金属图案直接地形成在基板上而没有粘接剂图案的情况相比,金属图案可以精密地形成而没有不合需要的图案缺失,并且金属互连线和电极可以形成具有改进的电子和/或电气可靠性。粘接剂图案可以使用反向平版印刷法形成,这将带来提高的产率。金属图案可以使用无电的电化学镀法形成,因此可使氧化的金属层还原,改善金属互连线的电气特性。而且,即使在最后的步骤,金属图案可以形成为在厚度和平坦区域的改进的均匀性。
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公开(公告)号:CN106469676B
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201610644461.1
申请日:2016-08-08
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明的实施例提供一种制造可拉伸导线的方法,所述方法包含在基板上移除光致抗蚀剂层的一部分,以形成包含至少一个图案狭缝的光致抗蚀剂图案,在光致抗蚀剂图案上施加液相导电材料,以在图案狭缝中形成液相导电结构,在移除光致抗蚀剂图案之后,在液相导电结构上形成可拉伸的第一绝缘层,以及从基板分离液相导电结构和第一绝缘层。
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公开(公告)号:CN106469676A
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201610644461.1
申请日:2016-08-08
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L24/43 , H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/6835 , H01L2224/24137 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L21/7688
Abstract: 本发明的实施例提供一种制造可拉伸导线的方法,所述方法包含在基板上移除光致抗蚀剂层的一部分,以形成包含至少一个图案狭缝的光致抗蚀剂图案,在光致抗蚀剂图案上施加液相导电材料,以在图案狭缝中形成液相导电结构,在移除光致抗蚀剂图案之后,在液相导电结构上形成可拉伸的第一绝缘层,以及从基板分离液相导电结构和第一绝缘层。
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公开(公告)号:CN119744051A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411226608.6
申请日:2024-09-03
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 本公开提供了一种可伸展显示装置。根据本发明构思的实施例的可伸展显示装置包括下基板、反射层、像素、以及扩散层,其中,反射层在下基板上,像素设置在反射层上以产生光,扩散层设置在像素和反射层之间并将光扩散到反射层上。
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公开(公告)号:CN102163693A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201010267225.5
申请日:2010-08-24
Applicant: 韩国电子通信研究院
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。该方法包括:在衬底上形成栅极电极;在衬底上形成栅极电介质,该栅极电介质覆盖栅极电极并包括在上部的凹陷区域;在凹陷区域中形成源极电极和漏极电极;以及在凹陷区域中的源极电极与漏极电极之间形成有机半导体层。
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