-
公开(公告)号:CN111799309A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010269097.1
申请日:2020-04-08
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 提供了一种压敏显示装置,其包括感测衬底、设置在感测衬底上的反应衬底、以及设置在感测衬底与反应衬底之间以使感测衬底与反应衬底间隔开的间隔件。这里,感测衬底包括柔性衬底和触摸电极,触摸电极设置在柔性衬底的面对反应衬底的一个表面上。反应衬底包括:透明衬底;透明电极,其设置在透明衬底的面对感测衬底的一个表面上;以及发光层,其设置在透明电极上。
-
公开(公告)号:CN109283704B
公开(公告)日:2022-05-10
申请号:CN201810330090.9
申请日:2018-04-13
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 提供可逆电化学镜,其包括彼此面对的第一基板和第二基板、设置在所述第一基板上并且面对所述第二基板的第一透明电极、设置在所述第二基板上并且面对所述第一透明电极的第二透明电极、介于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的电解质溶液、以及设置在所述第二透明电极上并且接触所述电解质溶液的对电极材料层。
-
公开(公告)号:CN102582254A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110463175.2
申请日:2011-12-05
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808
Abstract: 提供用于形成金属图案的方法和装置。该方法中,引发剂和金属图案依次结合在预形成的粘接剂图案之上,所述粘接剂改善了基板和金属之间的粘附和/或连接性能。因此,与引发剂和金属图案直接地形成在基板上而没有粘接剂图案的情况相比,金属图案可以精密地形成而没有不合需要的图案缺失,并且金属互连线和电极可以形成具有改进的电子和/或电气可靠性。粘接剂图案可以使用反向平版印刷法形成,这将带来提高的产率。金属图案可以使用无电的电化学镀法形成,因此可使氧化的金属层还原,改善金属互连线的电气特性。而且,即使在最后的步骤,金属图案可以形成为在厚度和平坦区域的改进的均匀性。
-
公开(公告)号:CN109283704A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201810330090.9
申请日:2018-04-13
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 提供可逆电化学镜,其包括彼此面对的第一基板和第二基板、设置在所述第一基板上并且面对所述第二基板的第一透明电极、设置在所述第二基板上并且面对所述第一透明电极的第二透明电极、介于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的电解质溶液、以及设置在所述第二透明电极上并且接触所述电解质溶液的对电极材料层。
-
公开(公告)号:CN102582254B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110463175.2
申请日:2011-12-05
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41F17/26 , B05C1/0808
Abstract: 提供用于形成金属图案的方法和装置。该方法中,引发剂和金属图案依次结合在预形成的粘接剂图案之上,所述粘接剂改善了基板和金属之间的粘附和/或连接性能。因此,与引发剂和金属图案直接地形成在基板上而没有粘接剂图案的情况相比,金属图案可以精密地形成而没有不合需要的图案缺失,并且金属互连线和电极可以形成具有改进的电子和/或电气可靠性。粘接剂图案可以使用反向平版印刷法形成,这将带来提高的产率。金属图案可以使用无电的电化学镀法形成,因此可使氧化的金属层还原,改善金属互连线的电气特性。而且,即使在最后的步骤,金属图案可以形成为在厚度和平坦区域的改进的均匀性。
-
公开(公告)号:CN100423302C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200510064951.6
申请日:2005-04-12
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 本发明提供了一种硅发光装置和制造此装置的方法,该装置包括硅纳米点发光层;施加电压电平于硅纳米点发光层的电极;在所述硅纳米点发光层的上或下侧的至少一个区域上的SiCN膜以改善发光效率。
-
公开(公告)号:CN1684282A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510064951.6
申请日:2005-04-12
Applicant: 韩国电子通信研究院
Abstract: 本发明提供了一种硅发光装置和制造此装置的方法,该装置包括硅纳米点发光层;施加电压电平于硅纳米点发光层的电极;在所述硅纳米点发光层的上或下侧的至少一个区域上的SiCN膜以改善发光效率。
-
-
-
-
-
-