-
公开(公告)号：CN1340832A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01123967.0
申请日：2001-08-09
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明的目的在于提供出一种可以容易地实现小型化、薄型化、轻型化且可以实施温度补偿的薄膜电容器,本发明的另一目的在于提供出一种可以满足上述条件且在高频频带处具有良好Q值的薄膜电容器。本发明提供的一种薄膜电容器的特征在于在一对电极3、7之间,夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜4、6和第二电介质材料薄膜5。而且,本发明提供的一种薄膜电容器还可以进一步使所述第一电介质材料薄膜的容量温度系数绝对值为50ppm/℃以下,使所述第二电介质材料薄膜的容量温度系数为负值且使其绝对值为500ppm/℃以上。
-
公开(公告)号：CN1340833A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01124071.7
申请日：2001-08-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01G4/33
CPC classification number: H01G4/258 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/312 , H01L21/3127 , H01L21/3143 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明通过只使用两种电介质薄膜材料,而获得可以依据需要确定静电容量温度系数的薄膜电容器。这种薄膜电容器可以在位于基板1处的下部电极层2的上侧面处,设置有具有预定静电容量温度系数的电介质薄膜3。而且,还设置有盖覆在该电介质薄膜3的上侧表面边缘部到电介质薄膜3上的台阶部处的、具有与预定静电容量温度系数不同的静电容量温度系数的第二电介质薄膜4,以及在盖覆在电介质薄膜3和第二电介质薄膜4处的上部电极层5。而且,可以通过对位于下部电极层2和上部电极层5间的电介质薄膜3与第二电介质薄膜4间的重合区域面积实施调整方式,对静电容量温度系数实施设定。
-
公开(公告)号：CN100456050C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200580006943.4
申请日：2005-03-04
Applicant: 国立大学法人京都大学 , TDK株式会社 , 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/29325 , G02B6/2938
Abstract: 本发明旨在提供一种二维光子晶体，其在规定的波长区域对TE偏振和TM偏振的双方形成成为光子带隙(PBG)的完全PBG，并且能够确保该完全PBG的宽度。在主体(21)上，以三角格子状配置主体形状为正三角形的空孔(22)。通过这种空孔的形状和配置，能够形成完全PBG。于是，通过将该正三角形的顶点倒角为圆弧状，能够确保邻接空孔之间的距离(即，主体的连接部分的宽度)，并能够充分地确保二维光子晶体的强度，同时能够增大空孔(22)。由此能够扩大完全PBG宽度。
-
公开(公告)号：CN101019052A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580028472.7
申请日：2005-08-30
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 阿尔卑斯电气株式会社 , TDK株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有宽的完全光子带隙(PBG)的二维光子晶体。在切片状的主体(31)上三角点阵状周期性配置与切片面平行的方向的截面形状为正三角形的空孔(32)。用主体(31)的材料覆盖该空孔(32)的上面及下面，由此使所述截面形状在与切片面垂直的方向上不一样。由此，相对于TM偏振波的PBG变宽，与相对于TE偏振波的PBG重合的能量的范围变宽。该重合的部分是完全PBG。具有与完全PBG内的能量对应的波长的光的TE偏振波、TM偏振波双方无法在光子晶体内传播。因此，如果在该光子晶体上设置波导或谐振器，则能够防止具有所述波长的光从其向光子晶体内泄漏而造成损失。
-
公开(公告)号：CN1378223A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN02108515.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01G4/33
CPC classification number: H01L28/56 , H01L27/0805
Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法,是把第一电介质薄膜4和第二电介质薄膜5叠层,得到具有所希望的薄板电容值和电容温度系数的薄膜电容器的制造方法,在使第二电介质薄膜的电容温度系数为τ,所述第二电介质薄膜的介电常数为κ,所述第二电介质薄膜的膜厚度t2为t2={εoτtot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}(但是,C/S为薄板电容值,εoτtot为所希望的电容温度系数),主晶粒的(τ/κ)为(τg/κg)的情况下,由所述的主晶粒的晶粒直径的大小,选择{(τ/κ)/(τg/κg)}的值超过1的主晶粒直径区域,决定晶粒直径的目标值,控制所述主晶粒的粒子直径,并使其达到所述目标值,形成所述第二电介质薄膜。能比较容易地实现小型化、薄型化、轻量化,并且能进行温度补偿。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101405634A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009907.2
申请日：2007-03-20
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12164
Abstract: 本发明提供一种二维光子晶体，在板状的主体(11)上形成有空孔(12)。空孔(12)在主体(11)的第一表面(131)内配置于三角晶格(141)的晶格点(121)，在第二表面(132)内配置于对应三角晶格(141)的重心的位置的晶格点(122)。空孔柱(12A)从晶格点(121)朝向最邻近其的3个晶格点(122)向倾斜方向延伸，空孔柱(12A)同样地从晶格点(122)朝向最邻近的3个晶格点(121)向倾斜方向延伸。在该结构中，在主体(11)内的与其平行的剖面(14)，由3个空孔组成的周期结构单位(16)的形状具有对称性为C3v的对称性。通过该对称性、和空孔柱(12A)向倾斜方向延伸，可以获得具有宽的宽度的完全PBG。在一实施例中，获得相对中央值为15％这样宽的宽度的完全PBG。
-
公开(公告)号：CN1225754C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN02108515.3
申请日：2002-03-27
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01L28/56 , H01L27/0805
Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，是把第一电介质薄膜4和第二电介质薄膜5叠层，得到具有所希望的面电容值和电容温度系数的薄膜电容器的制造方法，在使第二电介质薄膜的电容温度系数为τ，所述第二电介质薄膜的介电常数为κ，所述第二电介质薄膜的膜厚度t2为t2＝{εoτtot/(C/S)}·{1/(τ/κ)}(但是，C/S为面电容值，εoτtot为所希望的电容温度系数)，主晶粒的(τ/κ)为(τg/κg)的情况下，由所述的主晶粒的晶粒直径的大小，选择{(τ/κ)/(τg/κg)}的值超过1的主晶粒直径区域，决定晶粒直径的目标值，控制所述主晶粒的粒子直径，并使其达到所述目标值，形成所述第二电介质薄膜。能比较容易地实现小型化、薄型化、轻量化，并且能进行温度补偿。
-
公开(公告)号：CN1201347C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN01124071.7
申请日：2001-08-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01G4/33
CPC classification number: H01G4/258 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/312 , H01L21/3127 , H01L21/3143 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明通过只使用两种电介质薄膜材料，而获得可以依据需要确定静电容量温度系数的薄膜电容器。这种薄膜电容器可以在位于基板1处的下部电极层2的上侧面处，设置有具有预定静电容量温度系数的电介质薄膜3。而且，还设置有盖覆在该电介质薄膜3的上侧表面边缘部到电介质薄膜3上的台阶部处的、具有与预定静电容量温度系数不同的静电容量温度系数的第二电介质薄膜4，以及在盖覆在电介质薄膜3和第二电介质薄膜4处的上部电极层5。而且，可以通过对位于下部电极层2和上部电极层5间的电介质薄膜3与第二电介质薄膜4间的重合区域面积实施调整方式，对静电容量温度系数实施设定。
-
公开(公告)号：CN1197103C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01123967.0
申请日：2001-08-09
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明的目的在于提供出一种可以容易地实现小型化、薄型化、轻型化且可以实施温度补偿的薄膜电容器，本发明的另一目的在于提供出一种可以满足上述条件且在高频频带处具有良好Q值的薄膜电容器。本发明提供的一种薄膜电容器的特征在于在一对电极3、7之间，夹装有两个以上的、相对介电常数彼此不同的第一电介质材料薄膜4、6和第二电介质材料薄膜5。而且，本发明提供的一种薄膜电容器还可以进一步使所述第一电介质材料薄膜的容量温度系数绝对值为50ppm/℃以下，使所述第二电介质材料薄膜的容量温度系数为负值且使其绝对值为500ppm/℃以上。
-
公开(公告)号：CN101405634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200780009907.2
申请日：2007-03-20
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12164
Abstract: 本发明提供一种二维光子晶体，在板状的主体(11)上形成有空孔(12)。空孔(12)在主体(11)的第一表面(131)内配置于三角晶格(141)的晶格点(121)，在第二表面(132)内配置于对应三角晶格(141)的重心的位置的晶格点(122)。空孔柱(12A)从晶格点(121)朝向最邻近其的3个晶格点(122)向倾斜方向延伸，空孔柱(12A)同样地从晶格点(122)朝向最邻近的3个晶格点(121)向倾斜方向延伸。在该结构中，在主体(11)内的与其平行的剖面(14)，由3个空孔组成的周期结构单位(16)的形状具有对称性为C3v的对称性。通过该对称性、和空孔柱(12A)向倾斜方向延伸，可以获得具有宽的宽度的完全PBG。在一实施例中，获得相对中央值为15％这样宽的宽度的完全PBG。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.02 seconds)
