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公开(公告)号：CN119118705A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310691292.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基荧光陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的玻璃基荧光陶瓷材料包括基底和荧光玻璃薄膜，所述荧光玻璃薄膜设置在所述基底的至少一个表面上；所述基底选自石榴石基荧光陶瓷；所述荧光玻璃薄膜至少包括玻璃体和荧光元素；所述基底和荧光玻璃薄膜的厚度比为20:1‑50:1。本发明的玻璃基荧光陶瓷材料具有热稳定性好，光学性能好等突出优势，将其用于封装得到LED光源，获得高光效和高显指照明。
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公开(公告)号：CN118183640A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410352940.0
申请日：2024-03-26
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B21/072 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种单一原料合成AlON粉体的方法，以单一铝源通过水解合成含有Al源或AlN源和AlxOyHz源的复合前驱体物质，再结合铝热直接氮化法或固相反应法合成纯相AlON粉体。本发明的AlxOyHz源是基于原料粉体表面水解或热解得到且尺寸在纳米范围的具有包覆结构的复合前驱体物质，提高了原料的接触面积和混合均匀度，缩短反应物扩散路径，有效抑制中间产物的局部烧结和汇聚长大，合成粉体粒径约50nm，显著降低了粉体的合成温度，有效避免了两相或以上原料粉体比例不易控制且混合不均匀，导致合成的AlON粉体成分不均匀。本发明简化了合成工艺流程，降低了生产成本，提高了粉体合成质量。
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公开(公告)号：CN115259874B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110477145.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种增韧、导电MXene‑氧化锆复合陶瓷及其制备方法，所述材料包括氧化锆基质以及均匀分布在氧化锆基质晶粒晶界处的结构完整的单层或少层二维MXene材料。本发明制备的MXene‑氧化锆复合陶瓷具有均匀的微观结构，较高的相对密度(>98％)，只需添加少量(2wt％)MXene材料即可形成有效的增韧与导电网络，较纯氧化锆具有更好的机械性能以及导电特性。复合陶瓷满足电火花加工要求、具有离子/电子复合导电特性，在结构材料、固体燃料电池材料等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114455952A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011248445.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/581 , C04B35/626 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开一种AlON粉体及其直接氮化法高气压合成方法和应用，属于陶瓷粉体制备领域。所述方法以铝粉和氧化铝粉为原料，通过直接氮化法高气压合成纯相的AlON粉体，粉体颗粒形貌近似于球形，粒径范围在5μm‑15μm之间，分散性好，均匀性好，具有较高的烧结活性，以其为原料制备的AlON透明陶瓷(1.2mm厚)直线透过率大于84％，批次产量为公斤级，适合规模化生产AlON粉体。
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公开(公告)号：CN115124341B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110316193.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64 , C09K11/80 , F21V9/30 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种增强单基质白光LED陶瓷荧光体及其制备方法和应用，该荧光体的化学式为z wt％Al2O3‑(100‑z)wt％Lu3‑xAl5‑2yO12:xCe3+，yMn2+，ySi4+，其中x为Ce3+占据Lu3+位的掺杂量，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115124341A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110316193.1
申请日：2021-03-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64 , C09K11/80 , F21V9/30 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种增强单基质白光LED陶瓷荧光体及其制备方法和应用，该荧光体的化学式为z wt％Al2O3‑(100‑z)wt％Lu3‑xAl5‑2yO12:xCe3+，yMn2+，ySi4+，其中x为Ce3+占据Lu3+位的掺杂量，0
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公开(公告)号：CN119120020A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310691293.1
申请日：2023-06-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种显示用精细绿色荧光粉及其制备方法和用途。本发明绿色荧光粉的制备方法湿化学法和/或固相反应法；所述绿色荧光粉，所述绿色荧光粉为YAG:Ce,M，其分子式为Y3‑x‑yAl5O12:Cex,My，其中，Ce为发光离子，为正三价离子；M选自In3+、Sc3+、Gd3+、Yb3+、Lu3+中至少一种；0.0001≤x≤0.5，0＜y＜3。本发明制备得到的精细绿色荧光粉，一方面可以在MiniLED实现更好涂覆性，另一方面发光效率高、热稳定性好、发射光谱易调控、很好匹配蓝光芯片，可提高MiniLED的显示效果和可靠性，适用作MiniLED等显示用荧光材料。
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公开(公告)号：CN114455952B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011248445.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/581 , C04B35/626 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开一种AlON粉体及其直接氮化法高气压合成方法和应用，属于陶瓷粉体制备领域。所述方法以铝粉和氧化铝粉为原料，通过直接氮化法高气压合成纯相的AlON粉体，粉体颗粒形貌近似于球形，粒径范围在5μm‑15μm之间，分散性好，均匀性好，具有较高的烧结活性，以其为原料制备的AlON透明陶瓷(1.2mm厚)直线透过率大于84％，批次产量为公斤级，适合规模化生产AlON粉体。
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公开(公告)号：CN115259874A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110477145.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种增韧、导电MXene‑氧化锆复合陶瓷及其制备方法，所述材料包括氧化锆基质以及均匀分布在氧化锆基质晶粒晶界处的结构完整的单层或少层二维MXene材料。本发明制备的MXene‑氧化锆复合陶瓷具有均匀的微观结构，较高的相对密度(>98％)，只需添加少量(2wt％)MXene材料即可形成有效的增韧与导电网络，较纯氧化锆具有更好的机械性能以及导电特性。复合陶瓷满足电火花加工要求、具有离子/电子复合导电特性，在结构材料、固体燃料电池材料等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114716250A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110014916.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/581 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种AlON粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备领域。该制备方法以尿素、糖类化合物、铝盐为原料，通过水热法合成具有包覆结构的复合前驱体物质，再结合碳热还原氮化法合成纯相的AlON粉体。所述制备方法合成的具有包覆结构的复合前驱体物质，提高了原料物质的直接接触面积和混合均匀度，缩短了碳热反应中原料的扩散路径，有效抑制碳热还原反应中中间产物的局部烧结和汇聚长大，其合成粉体颗粒尺寸在1μm左右，所述方法可在约1700℃合成纯相AlON粉体，显著的降低了其粉体的合成温度。
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