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公开(公告)号:CN115259874B
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202110477145.0
申请日:2021-04-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种增韧、导电MXene‑氧化锆复合陶瓷及其制备方法,所述材料包括氧化锆基质以及均匀分布在氧化锆基质晶粒晶界处的结构完整的单层或少层二维MXene材料。本发明制备的MXene‑氧化锆复合陶瓷具有均匀的微观结构,较高的相对密度(>98%),只需添加少量(2wt%)MXene材料即可形成有效的增韧与导电网络,较纯氧化锆具有更好的机械性能以及导电特性。复合陶瓷满足电火花加工要求、具有离子/电子复合导电特性,在结构材料、固体燃料电池材料等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN115259874A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202110477145.0
申请日:2021-04-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明公开了一种增韧、导电MXene‑氧化锆复合陶瓷及其制备方法,所述材料包括氧化锆基质以及均匀分布在氧化锆基质晶粒晶界处的结构完整的单层或少层二维MXene材料。本发明制备的MXene‑氧化锆复合陶瓷具有均匀的微观结构,较高的相对密度(>98%),只需添加少量(2wt%)MXene材料即可形成有效的增韧与导电网络,较纯氧化锆具有更好的机械性能以及导电特性。复合陶瓷满足电火花加工要求、具有离子/电子复合导电特性,在结构材料、固体燃料电池材料等领域有广泛的应用前景。
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