公开(公告)号：CN118969614A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202310515431.0

申请日：2023-05-08

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 薛兴坤 ,  崔相弦 ,  脱穷 ,  徐汉东 ,  顾婷婷 ,  李泽伦 ,  董海洋 ,  王朝辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H10B12/00

Abstract: 公开一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供具有凹槽的基底；形成第一薄膜，第一薄膜位于凹槽的底面；对第一薄膜进行第一离子注入工艺，以使第一薄膜内具有第一掺杂离子；形成第二薄膜，第二薄膜位于第一薄膜表面、凹槽的内壁面以及第二面；形成栅导电层，栅导电层位于凹槽内；对位于第二面的第二薄膜进行第二离子注入工艺，以使位于第二面的第二薄膜内具有第二掺杂离子；对第二薄膜以及第一薄膜进行退火处理工艺以使部分第二薄膜内具有第一掺杂离子；具有第一掺杂离子的第一薄膜以及第二薄膜作为第一源漏区，具有第二掺杂离子的第二薄膜作为第二源漏区，剩余的第二薄膜作为沟道区，第一源漏区、第二源漏区以及沟道区构成有源层。

公开(公告)号：CN118888599A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202310453482.5

申请日：2023-04-24

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 薛兴坤 ,  脱穷 ,  崔相弦 ,  顾婷婷 ,  李泽伦 ,  徐汉东 ,  王朝辉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构、其制备方法以及存储器。该半导体结构包括：第一栅极、第二栅极、第一栅介质层、第二栅介质层、半导体层、源极和漏极；第一栅极与第二栅极分别设置于半导体层的两侧，自第二栅极至第一栅极的方向上半导体层包括依次叠置的沟道层和阻挡层，沟道层和阻挡层中均包括含铟元素和镓元素的金属氧化物，且在金属氧化物的金属元素中，沟道层中的铟元素的原子占比高于阻挡层中的铟元素的原子占比。该结构的半导体层能够使得载流子被局限于迁移率较高的沟道层中运动，因此晶体管的载流子迁移率也能够得到有效提高。

公开(公告)号：CN116565026A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310528523.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 薛兴坤 ,  崔相弦 ,  脱穷 ,  顾婷婷 ,  李泽伦 ,  徐汉东 ,  王朝辉

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体领域。该薄膜晶体管包括第一电极、第二电极、氧化物半导体层以及氢气扩散通道。其中，第一电极为薄膜晶体管的源电极或漏电极。第二电极为薄膜晶体管的漏电极或源电极。氧化物半导体层包括分别与第一电极和第二电极电连接的第一区域和第二区域。第一区域和/或第二区域中包括氢元素。氢气扩散通道与部分第一区域和/或部分第二区域接触，以用于将氢气扩散至第一区域和/或所述第二区域。本公开实施例至少有利于降低薄膜晶体管的源极和/或漏极与氧化物半导体层的接触电阻，提高薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN115274562A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210711030.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 吴润平 ,  崔相弦 ,  朴淳秉

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底上方形成模具叠层结构及存储节点网状结构；模具叠层结构包括沿远离衬底方向交替层叠的模具层和支撑层；模具叠层结构具有网格图案，存储节点网状结构位于所述网格图案内；采用一次构图工艺，将最顶层支撑层、最顶层模具层及次顶层支撑层图形化，暴露出部分次顶层模具层；去除次顶层模具层，暴露出对应位于次顶层模具层下表面的支撑层；自上而下依序将模具叠层结构中剩余的支撑层图形化，并基于图形化后的支撑层去除对应位于其下表面的模具层。本公开可以简化模具叠层结构的去除工艺，抑制关键尺寸偏差，并减少部分支撑层的受损程度，以提高良率及降低生产成本。