公开(公告)号：CN113667278A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110980691.6

申请日：2021-08-25

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  丁花 ,  崔凯月 ,  宜新博 ,  李洁颖

IPC: C08L63/02 ,  C08K3/04 ,  C09K5/14 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明公开一种石墨烯改性环氧树脂提高LED散热性的方法。通过在环氧树脂中分别加入外掺剂石墨烯及其衍生物氧化石墨烯，提高环氧树脂的导热性；并采用改性后的环氧树脂完成LED封装，从而提高LED的散热性。该发明中，在环氧树脂中加入一定量的石墨烯充当导热结点，可降低界面热阻，同时能够在聚合物中形成传递热量的导热网络，从而提高复合材料的导热性；并且当氧化石墨烯作为外掺剂时，氧化石墨烯/环氧树脂复合材料导热性能更优。因此，采用石墨烯改性环氧树脂封装LED，将更好地提高LED的散热性。

公开(公告)号：CN114664939A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210424809.1

申请日：2022-04-22

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 范志强 ,  谢海情 ,  崔凯月 ,  蔡稀雅 ,  刘景硕

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/16 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度非对称肖特基整流晶体管，其结构包括中间沟道散射区域和两个金属电极。其中，中间沟道散射区域采用二维SiC材料；两个金属电极分别采用4种二维金属材料（Al，Au，Pd，Ag）中的一种或者两种。该发明中，两个金属电极与衬底材料之间形成肖特基接触。当两个金属电极分别采用不同二维金属材料时，形成非对称肖特基接触结构，此时晶体管具有整流特性。当两个金属电极分别采用二维Pd和Au材料时，晶体管的整流特性最好，整流比可达750。

公开(公告)号：CN112234102A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011158953.2

申请日：2020-10-26

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  蔡稀雅 ,  范志强 ,  刘刚 ,  崔凯月

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用二维金属相二硫化钼（MoS2）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用二维SiC材料作为衬底，二维MoS2材料作为源、漏电极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度小于5.1nm时，器件关态电流小于0.1µA/µm，实现正常关断；开态电流不小于940µA/µm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。

公开(公告)号：CN117855279A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410068546.4

申请日：2024-01-17

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  刘景硕 ,  范志强 ,  崔凯月 ,  王心悦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/47 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏极采用二维金属（Ag,Au）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维GaN材料作为衬底，金属（Ag,Au）材料作为源、漏极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构可增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度为5.1nm时，器件的关态电流小于0.1μA/μm，实现正常关断；器件的开态电流大于1100μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能器件的要求。

公开(公告)号：CN114709266A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210359265.5

申请日：2022-04-07

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  崔凯月 ,  蔡稀雅 ,  陈振华 ,  谢进

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用宽禁带二维SiC材料作为衬底，p型掺杂二维SiC作为源、漏电极，可以有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，加强栅极对沟道区域电子的控制。当沟道长度小于等于5.1nm时，晶体管关态电流小于0.1μA/μm，能实现正常关断；开态电流大于900μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。

公开(公告)号：CN214279984U

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202022397823.6

申请日：2020-10-26

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  蔡稀雅 ,  范志强 ,  刘刚 ,  崔凯月

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅电极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用二维金属相二硫化钼（MoS2）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维SiC材料作为衬底，二维MoS2材料作为源、漏电极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度小于5.1nm时，器件关态电流小于0.1µA/µm，实现正常关断；开态电流不小于940µA/µm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。