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公开(公告)号：CN114709266A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210359265.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 长沙理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道散射区域之间均包含一个氧化层；中间沟道散射区域采用二维SiC材料。本发明采用宽禁带二维SiC材料作为衬底，p型掺杂二维SiC作为源、漏电极，可以有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷；双栅结构增强栅极对沟道的控制能力，加强栅极对沟道区域电子的控制。当沟道长度小于等于5.1nm时，晶体管关态电流小于0.1μA/μm，能实现正常关断；开态电流大于900μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）的高性能要求。
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