公开(公告)号：CN117855279A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410068546.4

申请日：2024-01-17

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 谢海情 ,  刘景硕 ,  范志强 ,  崔凯月 ,  王心悦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L29/47 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基纳米尺度肖特基势垒场效应晶体管，其结构包括源、漏极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏极采用二维金属（Ag,Au）材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和背栅；顶栅和背栅与衬底沟道之间均包含一个氧化层。本发明采用二维GaN材料作为衬底，金属（Ag,Au）材料作为源、漏极，与衬底材料形成肖特基势垒接触；双栅结构可增强栅极对沟道的控制能力，有效解决沟道长度缩小至10nm以下时，短沟道效应和量子效应引起的器件性能缺陷。当沟道长度为5.1nm时，器件的关态电流小于0.1μA/μm，实现正常关断；器件的开态电流大于1100μA/μm，满足国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能器件的要求。

公开(公告)号：CN114664939A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210424809.1

申请日：2022-04-22

Applicant: 长沙理工大学

Inventor： 范志强 ,  谢海情 ,  崔凯月 ,  蔡稀雅 ,  刘景硕

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/16 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明公开了一种SiC基纳米尺度非对称肖特基整流晶体管，其结构包括中间沟道散射区域和两个金属电极。其中，中间沟道散射区域采用二维SiC材料；两个金属电极分别采用4种二维金属材料（Al，Au，Pd，Ag）中的一种或者两种。该发明中，两个金属电极与衬底材料之间形成肖特基接触。当两个金属电极分别采用不同二维金属材料时，形成非对称肖特基接触结构，此时晶体管具有整流特性。当两个金属电极分别采用二维Pd和Au材料时，晶体管的整流特性最好，整流比可达750。