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公开(公告)号:CN111233502A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN202010049410.0
申请日:2020-01-16
Applicant: 长安大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/185 , C04B35/84 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种轻质隔热高强度莫来石材料及其制备方法,所述莫来石材料以多孔莫来石晶须框架为基体,在基体外表面覆盖结合有一层致密莫来石涂层。制备方法为:步骤1,制备多孔莫来石晶须框架;制备致密莫来石前驱体浆料;步骤2,将致密莫来石前驱体浆料均匀地喷涂在多孔莫来石晶须框架外表面,干燥后得到多孔莫来石生坯;步骤3,多孔莫来石生坯经空气气氛下高温烧结,在多孔莫来石晶须框架外表面形成致密莫来石涂层,得到轻质隔热高强度的莫来石材料。本发明材料在高气孔率的前提下实现轻质隔热高强度的结合。
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公开(公告)号:CN111533571A
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN202010457557.3
申请日:2020-05-26
Applicant: 长安大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/81 , C04B35/185 , C04B35/624
Abstract: 本发明提供一种晶须框架强韧的莫来石陶瓷及方法,所述方法包括以下步骤:步骤1,先将铝溶胶加入到去离子水中,得到含水铝溶胶,再将硅溶胶加入到含水铝溶胶中,得到莫来石溶胶;步骤2,先将莫来石溶胶浸渗到莫来石晶须框架中,再将所得混合物干燥,得到莫来石陶瓷试样;步骤3,将莫来石陶瓷试样进行热处理得到晶须框架强韧的莫来石陶瓷,得到的莫来石陶瓷具有晶须含量高且分布均匀的特点。本发明优势在于可以大幅提高莫来石陶瓷中的晶须含量,具体地,莫来石晶须框架结构可以大幅增加晶须含量,可达到69.5wt%~90wt%),并且晶须在基体中分散均匀,有力避免了因晶须团聚造成的性能损失。
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公开(公告)号:CN104874385B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201510283076.4
申请日:2015-05-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 一种TiO2纳米管/SiO2气凝胶复合光催化材料及其制备方法,本发明首先水热合成TiO2纳米管,然后以TiO2纳米管为离散相、SiO2气凝胶为连续相基体通过溶胶‑凝胶法制得凝胶,凝胶再经陈化、老化以及改性,合成了光催化材料。由于采用水热法结合溶胶凝胶法,本发明制备的光催化粉末材料较好地保持了钛纳米管的形貌,并且所采用设备简单,操作安全。本发明制备TiO2纳米管/SiO2气凝胶复合的光催化粉末材料为多孔结构,利用孔结构优异的表面物理化学特性,能够在一定程度上提高其催化活性;同时以SiO2气凝胶为载体,解决了纳米催化剂的负载问题,且易回收,可循环使用,属于环境友好型高性能材料。
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公开(公告)号:CN105714156A
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201610161174.5
申请日:2016-03-21
Applicant: 长安大学
CPC classification number: C22C21/00 , C22C1/1015 , C22C1/1068 , C22C29/12 , C22C32/0036 , C22C2001/1021 , C22C2001/1073
Abstract: 一种利用原位反应制备三维贯通Al2O3/Al复合材料的方法,将SiO2粉末、水、硼酸、聚丙烯酸铵、羧甲基纤维素加入到水中,混合后配制成SiO2陶瓷浆料;将聚氨酯泡沫浸入到SiO2陶瓷浆料中进行真空浸渍挂浆,干燥后进行烧结,再于800~1100℃下,置入熔融铝液中,保温20min~240min。由于采用了原位反应,所以此种材料中的氧化铝增强体与铝基体界面清晰,结合良好;反应生成的氧化铝陶瓷保持了反应前网络氧化硅陶瓷的外观和结构;形成的氧化铝网络陶瓷作为增强体,在铝基体中连续分布,能够有效分散载荷,提高氧化铝/铝复合材料的强度;形成的网络氧化铝增强体相对于铝基体更加坚硬,能够有效改善氧化铝/铝复合材料的耐磨性。
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公开(公告)号:CN104587846A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410816871.0
申请日:2014-12-24
Applicant: 长安大学
Abstract: 一种低温烧结制备多孔陶瓷滤膜的方法,将陶瓷骨料颗粒、烧结助剂、去离子水、分散剂以及消泡剂混合搅拌,然后真空保压以排除所得过滤膜层浆料中的气体;将支撑体材料置于过滤膜层浆料中浸渍,然后采用提拉法在支撑材料上得到膜层,随后在700~1070℃烧成,得到多孔陶瓷滤膜;本发明通过优配烧结助剂、分散剂和消泡剂,配制高稳定性、适当粘度的陶瓷膜层浆料体系,同时调控高气孔率大孔径的陶瓷支撑体在预制膜层浆料体系中的提拉方式,在支撑体材料全表面或者指定位置表面获得均匀、非对称的多孔陶瓷膜坯体,最终通过逐级干燥并在1100℃内低温快速烧结获得高强、耐磨、耐蚀、长寿命、低成本的多孔陶瓷膜制品。
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公开(公告)号:CN111233502B
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202010049410.0
申请日:2020-01-16
Applicant: 长安大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/185 , C04B35/84 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种轻质隔热高强度莫来石材料及其制备方法,所述莫来石材料以多孔莫来石晶须框架为基体,在基体外表面覆盖结合有一层致密莫来石涂层。制备方法为:步骤1,制备多孔莫来石晶须框架;制备致密莫来石前驱体浆料;步骤2,将致密莫来石前驱体浆料均匀地喷涂在多孔莫来石晶须框架外表面,干燥后得到多孔莫来石生坯;步骤3,多孔莫来石生坯经空气气氛下高温烧结,在多孔莫来石晶须框架外表面形成致密莫来石涂层,得到轻质隔热高强度的莫来石材料。本发明材料在高气孔率的前提下实现轻质隔热高强度的结合。
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公开(公告)号:CN111235421B
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202010049432.7
申请日:2020-01-16
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法,包括:步骤1,制备多孔碳化硅陶瓷框架;制备偏钨酸铵溶胶;步骤2,将偏钨酸铵溶胶浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中,然后干燥并在空气气氛中煅烧,然后在氢气气氛下煅烧还原,得到含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架;步骤3,将含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架和铜在加热条件下进行无压浸渗,得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。本发明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成钨涂层,钨与铜的润湿角小于10°,所以钨涂层改善了碳化硅、氧化硅与铜的润湿性,从而保证能够利用无压浸渗的方法得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。
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公开(公告)号:CN105241797A
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201510555358.5
申请日:2015-09-01
Applicant: 长安大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 一种测试多孔材料渗透率的装置及方法,包括储液仓和夹持装置,夹持装置包括带有出口的上壳体和带有入口的下壳体,上壳体内开设上流体通道,下壳体内开设下流体通道,上流体通道和下流体通道之间设置有用于放置待测多孔材料且能够伸缩的密封腔,储液仓经第一压力表与下流体通道的入口相连,上流体通道的出口经第二压力表、流量计与储液仓相连。本发明通过设置能够伸缩的密封腔,调节密封腔的不同的高度,能够测量不同高度管状多孔材料的液体渗透率、分离效率,并且能测试多孔材料的渗透的均匀性,可以更加快速便捷评估多孔材料的性能要求。本测试装置能够测量管状、规则片状、不规则形状多孔过滤材料的渗透率。
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公开(公告)号:CN104874385A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201510283076.4
申请日:2015-05-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 一种TiO2纳米管/SiO2气凝胶复合光催化材料及其制备方法,本发明首先水热合成TiO2纳米管,然后以TiO2纳米管为离散相、SiO2气凝胶为连续相基体通过溶胶-凝胶法制得凝胶,凝胶再经陈化、老化以及改性,合成了光催化材料。由于采用水热法结合溶胶凝胶法,本发明制备的光催化粉末材料较好地保持了钛纳米管的形貌,并且所采用设备简单,操作安全。本发明制备TiO2纳米管/SiO2气凝胶复合的光催化粉末材料为多孔结构,利用孔结构优异的表面物理化学特性,能够在一定程度上提高其催化活性;同时以SiO2气凝胶为载体,解决了纳米催化剂的负载问题,且易回收,可循环使用,属于环境友好型高性能材料。
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公开(公告)号:CN111533571B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202010457557.3
申请日:2020-05-26
Applicant: 长安大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/81 , C04B35/185 , C04B35/624
Abstract: 本发明提供一种晶须框架强韧的莫来石陶瓷及方法,所述方法包括以下步骤:步骤1,先将铝溶胶加入到去离子水中,得到含水铝溶胶,再将硅溶胶加入到含水铝溶胶中,得到莫来石溶胶;步骤2,先将莫来石溶胶浸渗到莫来石晶须框架中,再将所得混合物干燥,得到莫来石陶瓷试样;步骤3,将莫来石陶瓷试样进行热处理得到晶须框架强韧的莫来石陶瓷,得到的莫来石陶瓷具有晶须含量高且分布均匀的特点。本发明优势在于可以大幅提高莫来石陶瓷中的晶须含量,具体地,莫来石晶须框架结构可以大幅增加晶须含量,可达到69.5wt%~90wt%),并且晶须在基体中分散均匀,有力避免了因晶须团聚造成的性能损失。
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