公开(公告)号：CN111235421A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010049432.7

申请日：2020-01-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 曾德军 ,  孟瑶 ,  桑可正 ,  刘林杰

IPC: C22C1/10 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法，包括：步骤1，制备多孔碳化硅陶瓷框架；制备偏钨酸铵溶胶；步骤2，将偏钨酸铵溶胶浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中，然后干燥并在空气气氛中煅烧，然后在氢气气氛下煅烧还原，得到含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架；步骤3，将含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架和铜在加热条件下进行无压浸渗，得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。本发明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成钨涂层，钨与铜的润湿角小于10°，所以钨涂层改善了碳化硅、氧化硅与铜的润湿性，从而保证能够利用无压浸渗的方法得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。

公开(公告)号：CN111235421B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010049432.7

申请日：2020-01-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 曾德军 ,  孟瑶 ,  桑可正 ,  刘林杰

IPC: C22C1/10 ,  C22C1/02 ,  C22C9/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法，包括：步骤1，制备多孔碳化硅陶瓷框架；制备偏钨酸铵溶胶；步骤2，将偏钨酸铵溶胶浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中，然后干燥并在空气气氛中煅烧，然后在氢气气氛下煅烧还原，得到含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架；步骤3，将含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架和铜在加热条件下进行无压浸渗，得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。本发明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成钨涂层，钨与铜的润湿角小于10°，所以钨涂层改善了碳化硅、氧化硅与铜的润湿性，从而保证能够利用无压浸渗的方法得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。