-
公开(公告)号：CN114686989A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210359610.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 锦州神工半导体股份有限公司 , 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法，包括：步骤一、将单晶硅片进行清洗；步骤二、对所述单晶硅片进行表面去损伤；步骤三、将所述单晶硅片放入质量分数为3.5％的NaOH溶液和体积分数为5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，冲洗；步骤四、将所述单晶硅片放入质量分数为40％的H2O2、质量分数为35％的HF溶液和1.4g Cu(NO3)2的混合溶液中，45℃水浴60min后，清洗；步骤五、将所述单晶硅片放入质量分数为5％的NH4OH和质量分数为5％的H2O2的混合溶液中，25℃水浴2min，清洗后获得表面带有微纳米复合结构的单晶硅片。本发明具有降低单晶硅片表面反射率的特点。
-
公开(公告)号：CN114347281A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210055094.7
申请日：2022-01-18
Applicant: 锦州神工半导体股份有限公司 , 辽宁工业大学
IPC: B28D5/00 , C10M173/02
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片切割方法，包括如下步骤：步骤一、将硅锭固定在超声振动辅助锯切加工设备的载物台上；步骤二、设定切削参数；其中，所述切削参数包括：载物台的运动速度、切割机主轴转速、锯片进给速度、切削深度、超声振动频率和振幅；步骤三、开切削液，对所述硅锭进行切削加工；其中，所述切削液的组成成分为：10％～30％Al2O3、0.5％～1.5％溴化二甲基苄基十二烷基铵、1％～3％柠檬酸，余量为水；步骤四、将切削得到的单晶硅片进行清洗后得到成品。本发明提供的单晶硅片切割方法，通过辅助超声振动和合理设置切削液成分，能够改善硅片质量，获得光滑平整的单晶硅片；本发明同时还能够提高单晶硅片切割加工的效率。
-
公开(公告)号：CN114686989B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210359610.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 锦州神工半导体股份有限公司 , 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅片表面微纳米复合结构的制备方法，包括：步骤一、将单晶硅片进行清洗；步骤二、对所述单晶硅片进行表面去损伤；步骤三、将所述单晶硅片放入质量分数为3.5％的NaOH溶液和体积分数为5％的正丁醇的混合溶液中，75℃水浴40min后，冲洗；步骤四、将所述单晶硅片放入质量分数为40％的H2O2、质量分数为35％的HF溶液和1.4g Cu(NO3)2的混合溶液中，45℃水浴60min后，清洗；步骤五、将所述单晶硅片放入质量分数为5％的NH4OH和质量分数为5％的H2O2的混合溶液中，25℃水浴2min，清洗后获得表面带有微纳米复合结构的单晶硅片。本发明具有降低单晶硅片表面反射率的特点。
-
公开(公告)号：CN108504988B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810285835.4
申请日：2018-04-03
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电脉冲辅助高铬冷作模具钢渗氮的处理方法。包括：a、将高铬冷作模具钢切割成试样；b、将步骤a中的试样置于渗氮罐的中部，并在所述试样四周填充渗氮剂，密封所述渗氮罐；c、将所述渗氮罐置于加热炉中，升温至555～565℃，保温6.5～7.5h，在保温过程中，每间隔54～56min，施加电脉冲4～6min；所施加的电脉冲的频率为6～12Hz，电压为300～900V；d、在步骤c反应结束，将所述试样自渗氮罐取出，进行冷却。本发明的有益效果是：渗氮层厚度高，过渡区结合好，渗层不脱落，各项性能指标优异；达到了节约能源，缩短渗氮时间的目的，提高工艺效率。
-
公开(公告)号：CN107739958A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710999232.6
申请日：2017-10-24
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种含有共晶组织的高熵合金，包括：由FCC相和Cr9Mo21Ni20所组成的层片状共晶组织的CoCrFeNiMo0.6～1.2；其中，CoCrFeNiMo0.6合金的组织为亚共晶组织，CoCrFeNiMo0.8合金的组织为共晶组织，CoCrFeNiMo和CoCrFeNiMo1.2合金的组织为过共晶组织。同时，本发明还公开了一种含有共晶组织的高熵合金的制备方法，包括如下步骤：步骤一、称取原料Co、Cr、Fe、Ni和Mo单质金属，并且按照摩尔比计为1：1：1：1：0.6～1.2；步骤二、将所述单质金属放入熔炼炉后抽真空处理并充入保护气；步骤三、去除残留氧气后通电熔炼所述单质金属得到熔化后的合金；步骤四、将所述合金冷却得到所述高熵合金；其中，所述单质金属按照熔点由低至高从下往上依次放置在熔炼炉中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105220225B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510712862.1
申请日：2015-10-27
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电脉冲处理技术控制定向凝固过程中金属晶体生长的方法，包括：步骤一：制作定向凝固铸型；步骤二：将纯铝加热至熔化，加热温度为730℃～750℃，经除气、净化后，再重新加热至730℃～750℃；步骤三：进行纯铝熔体电脉冲处理，将脉冲电极插入纯铝熔体中，其脉冲电压为100V～700V，频率为5Hz，处理后将纯铝熔体重新加热至730℃～750℃；步骤四：将定向凝固铸型与连有热电偶的无纸记录仪组成测温定向凝固浇注系统，将电脉冲处理后的液态纯铝浇注到测温定向凝固浇注系统中，待液态纯铝在定向凝固铸型中定向凝固，得到金属晶体。本发明具有通过脉冲电磁场辅助，能够有效的控制金属的凝固时间、凝固温度与晶粒生长取向等特点。
-
公开(公告)号：CN105132875B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510549215.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 一种扩散法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，以单晶硅作为基片，使用的靶材为ZnO靶和Al靶，采用磁控溅射法室温下在单晶硅基片上交替进行AZO层和ZnO层溅射沉积，溅射沉积时靶材的功率保持不变，通过定时调节Al靶材挡板来控制Al元素沉积，每次铝靶挡板打开前ZnO靶单独溅射的时间不断增加，ZnO靶单独溅射完成后，打开铝挡板，开始Al靶和ZnO靶共溅射，沉积完成后，进行退火处理，制得梯度AZO薄膜。优点是：工艺简单，成本低廉，过程容易控制，扩散法制备的梯度AZO单晶薄膜，梯度掺杂浓度梯度变化大、梯度均匀、结晶质量高、单晶性能好、薄膜表面平整，导电性能优良，适合作为薄膜太阳能电池钝化层。
-
公开(公告)号：CN104448072B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410830463.0
申请日：2014-12-26
Applicant: 辽宁工业大学
IPC: C08F112/08 , C08F2/46 , C08F2/01
Abstract: 本发明公开了一种脉冲电磁场辅助控制苯乙烯聚合的方法。包括以下步骤：a、制备聚乙烯醇水溶液；b、将过氧化苯甲酰与苯乙烯按照质量比为0.3:14.8～15.2混合均匀，获得反应液；c、自制线圈；d、将自制线圈放置于恒温水浴中，在自制线圈内放置容器，向容器中依次加入反应液、蒸馏水和聚乙烯醇水溶液，并匀速搅拌容器内物质；e、将自制线圈与电脉冲发生装置连接，对其进行脉冲磁场处理。本发明的有益效果是：本发明的有益效果是：1、通过脉冲电磁场能够有效防止聚苯乙烯的相对分子质量过大，从而改善其由于分子量过大在性能上的缺点；2、脉冲电磁场不与反应溶液接触，不会造成污染，不影响产品的纯净度。
-
公开(公告)号：CN104496784B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410829664.9
申请日：2014-12-26
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲电磁场辅助左旋聚乳酸材料降解的方法。包括以下步骤：a、制备溶液；b、制备自制线圈；c、将左旋聚乳酸材料放入盛有溶液容器中；d、进行脉冲电磁场处理，每日于固定时间反复用脉冲电磁场处理4～8次，其余时间在36.5～37.5℃的恒温水浴中保持恒温；e、重复步骤d，重复36～40天。本发明的有益效果是：用脉冲电磁场辅助，能够有效的加速左旋聚乳酸材料降解速率，有效地解决了左旋聚乳酸材料降解缓慢的问题，使其能够得到广泛的应用。
-
公开(公告)号：CN103866333B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410078950.6
申请日：2014-03-05
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: Cr12MoV钢的氮碳共渗工艺，将Cr12MoV钢模具进行高温淬火，模具装箱，将箱装入电炉中进行氮碳共渗，氮碳共渗工艺温度在560℃-580℃之间，保温4—8小时；其中，所述渗剂为木炭和尿素，其比例为3:2，还加入少许催化剂三氧化铬进行催渗；将模具放入200℃的电炉中进行保温2小时的回火，然后出炉淬入冷油中冷却，冷至室温后取出。有效地提高了Cr12MoV钢模具的使用寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.06 seconds)
