公开(公告)号：CN114267940B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111472995.8

申请日：2021-12-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王柯 ,  张长虹 ,  邵羽 ,  雒江涛

IPC: H01Q1/50 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明属于天线技术领域，具体涉及一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列；该双环阵列包括：上层金属面、介质基板、下层金属面以及开环辐射单元组，介质基板设置在上层金属面和下层金属面之间；在上层金属面上设置有金属面开槽；开环辐射单元组通过锥形平行双线分别与上层金属面和下层金属面连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔和第二金属化过孔；将上层金属面、介质基板和下层金属面从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW‑SIW结构和SIW结构；本发明为单层介质板结构，加工难度简单，成本低；对比现有技术，在结构简单的基础上保持了宽3dB轴比带宽和高增益，具有良好的经济效益。

公开(公告)号：CN114267940A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111472995.8

申请日：2021-12-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王柯 ,  张长虹 ,  邵羽 ,  雒江涛

IPC: H01Q1/50 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/36

Abstract: 本发明属于天线技术领域，具体涉及一种基于基片集成波导的毫米波端射宽带圆极化双环阵列；该双环阵列包括：上层金属面、介质基板、下层金属面以及开环辐射单元组，介质基板设置在上层金属面和下层金属面之间；在上层金属面上设置有金属面开槽；开环辐射单元组通过锥形平行双线分别与上层金属面和下层金属面连接；在毫米波端射宽带圆极化双环阵列上设置有第一金属化过孔和第二金属化过孔；将上层金属面、介质基板和下层金属面从右向左依次划分为GCPW结构、GCPW‑SIW结构和SIW结构；本发明为单层介质板结构，加工难度简单，成本低；对比现有技术，在结构简单的基础上保持了宽3dB轴比带宽和高增益，具有良好的经济效益。