公开(公告)号：CN108693160A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810290195.6

申请日：2018-04-03

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赖春红 ,  吴聪 ,  夏大杨 ,  何婷 ,  叶林欣 ,  王春瑞

IPC: G01N21/65 ,  B01L3/00

CPC classification number: G01N21/658 ,  B01L3/5027

Abstract: 本发明涉及一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2)；介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成；波导上包层(3)设置在波导芯层(5)的上表面，耦合光栅(1)分布在波导芯层(5)的上表面，且耦合光栅(1)未与波导上包层(3)接触；硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平，波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平。本发明的基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，结构简单、尺寸很小，可在单一芯片上制作阵列式结构，提高检测灵敏度。

公开(公告)号：CN108693160B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201810290195.6

申请日：2018-04-03

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 赖春红 ,  吴聪 ,  夏大杨 ,  何婷 ,  叶林欣 ,  王春瑞

IPC: G01N21/65 ,  B01L3/00

Abstract: 本发明涉及一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2)；介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成；波导上包层(3)设置在波导芯层(5)的上表面，耦合光栅(1)分布在波导芯层(5)的上表面，且耦合光栅(1)未与波导上包层(3)接触；硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平，波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平。本发明的基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片，结构简单、尺寸很小，可在单一芯片上制作阵列式结构，提高检测灵敏度。