一种能源互联网中隐私保护的多能负荷解耦预测方法

    公开(公告)号:CN117407717A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311456923.3

    申请日:2023-11-03

    Abstract: 本发明属于能源互联网技术领域,尤其涉及一种能源互联网中隐私保护的多能负荷解耦预测方法,包括以下步骤:S1、构建多能负荷预测模型PPenergyNET;所述PPenergyNET包括分别设置在冷、热、电能源公司处的本地模型,用于独立提取对应能源公司的本地负荷数据的负荷特征;PPenergyNET还包括设置在云服务器的全局模型,用于聚合三个本地模型的负荷特征进行多能负荷预测;S2、对S1构建的PPenergyNET进行学习优化;S3、使用学习优化后的PPenergyNET进行多能负荷预测。使用本发明,可以只交换本地特征、预测结果、损失和梯度信息就能完成模型的训练和预测,从而实现了数据可用不可见,保护了原始数据的隐私。本方法可以在保护各能源公司的本地数据隐私的同时,准确的进行多能源负荷预测。

    一种基于自适应联邦元学习的初期故障辨识方法

    公开(公告)号:CN117473869A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311466826.2

    申请日:2023-11-06

    Abstract: 本发明属于智能模型学习技术领域,尤其涉及一种基于自适应联邦元学习的初期故障辨识方法,包括以下步骤:S1、构建仿真配电网并仿真模拟各类故障事件,并同步记录故障波形数据和非故障波形数据;将记录的波形数据转换为图像样本,得到故障图像数据库Dtrain;S2、在云服务器设置全局模型并在各电力公司设置本地模型;S3、结合Dtrain中的样本,使用元学习策略,对云服务器的全局模型进行训练,得到全局模型的最优初始参数θ*;S4、通过设计的联邦学习框架,对全局模型参数进行多轮优化;S5、使用参数优化完成的全局模型进行IF辨识。本方法能够在实现隐私保护的同时,在样本量小的条件下完成IF特征的学习,并保证IF辨识准确度。

    基于频域广义旁瓣相消和维纳后置滤波的超声成像方法

    公开(公告)号:CN114646967B

    公开(公告)日:2025-05-20

    申请号:CN202210248403.2

    申请日:2022-03-14

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于频域广义旁瓣相消和维纳后置滤波的超声成像方法,属于超声成像技术领域;该方法包括:对采样信号进行延时处理,获得超声回波信号,并将其转换为子频带的超声回波数据,再进行空时平滑和对角加载处理,得到子频带下的频域样本协方差矩阵;根据广义旁瓣相消原理计算出各个子频带下的波束形成权值;根据波束形成权值设计相应的维纳后置滤波器,求取维纳滤波器系数;将波束形成权值与其后置滤波器系数相乘,得到最终的复合权矢量,然后对频域下的回波数据加权求和,得到波束形成器的频域输出;将波束形成器的频域输出值转换到时域,并进行后续成像处理;本发明能够显著提高超声图像的成像分辨率和对比度。

    一种提升盆式绝缘子绝缘性能的改性方法及系统

    公开(公告)号:CN120015441A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202510192095.X

    申请日:2025-02-21

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种提升盆式绝缘子绝缘性能的改性方法及系统。涉及绝缘材料表面改性领域;方法包括:步骤1:将盆式绝缘子表面划分为多个径向等距的环形区域;步骤2:测量改性前的盆式绝缘子表面的电位、表面电导率和表面粗糙度;步骤3:基于改性前的盆式绝缘子表面的电位、表面电导率和表面粗糙度,对环形区域的高压端到接地端依次进行离子束处理,离子束处理通过改变电导率和粗糙度来优化电位分布,对盆式绝缘子表面进行改性;步骤4:对进行离子束处理后的盆式绝缘子进行闪络性能测试,验证改性后盆式绝缘子的闪络性能。本发明通过表面梯度离子束处理,从而形成结构化粗糙度表面,能有效提升盆式绝缘子沿面闪络性能。

    基于磁光晶体-光栅复合结构的光纤磁场-温度双参数传感器系统

    公开(公告)号:CN115200643B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202210832672.3

    申请日:2022-07-14

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于磁光晶体‑光栅复合结构的光纤磁场‑温度双参数传感器系统,属于光学传感器技术领域,包括磁光晶体‑光栅复合结构传感单元、光路测量系统、磁场‑温度双参数解调系统;窄带激光光源发射出窄带激光,经过消偏器后转变成无偏振态,并经过环形器入射至磁光晶体‑光栅复合结构传感单元的感温光纤光栅进行反射、透射;反射光传递至单路光探;透射光通过准直器传输至偏振片,经过磁光晶体进入偏振分光棱镜分解成两束垂直的线偏光,通过两个准直器传递至平衡双路光探;磁场‑温度双参数解调系统进行采集管理;通过温度‑磁场双参数解调算法获取被测点的温度、磁场信息并进行磁场补偿。

    一种用于数字孪生确定线段所在位置的计算方法及系统

    公开(公告)号:CN116340713B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202310151275.4

    申请日:2023-02-22

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 一种用于数字孪生确定线段所在位置的计算方法及系统,包括:按照四面体单元编号顺序对每个四面体单元的点全局编号;四面体单元内对各点局部编号和六条边局部编号;按照四面体单元编号顺序,排列各点全局编号获得初始矩阵,利用四面体单元编号和边的局部编号对初始矩阵扩展获得扩展矩阵,调整扩展矩阵各行顺序得到搜索矩阵;根据目标线段第一节点局部编号计算目标线段在搜索矩阵中的搜索起始行;根据第一节点全局编号与搜索起始行第一个元素的大小确定搜索方向;根据第一节点全局编号与当前搜索行第一个元素的大小,确定目标线段所在四面体单元编号及边局部编号。本发明大幅减少搜索运算次数,加快线段所在位置的搜索速度。

    一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管

    公开(公告)号:CN118315432B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202410603644.3

    申请日:2024-05-15

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开一种包含异质结二极管的肖特基源极功率金属氧化物半导体场效应晶体管,包括漏极金属层(1)、重掺杂第一导电类型衬底层(2)、轻掺杂第一导电类型漂移区(3)、第一导电类型传导区域(4)、逆行掺杂第二导电类型体区域(5)、重掺杂第二导电类型接触区域(6)、源极金属层(7)、氧化层(8)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(9)、栅极金属层(10)、第二导电类型锗硅区域(11)、锗硅区域源极金属层(12)。本发明改善了器件的抗单粒子栅穿性能,相较于现有的传统肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(SBMOS),本发明的氧化层峰值电场更小,具有更好的抗单粒子栅穿性能。

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