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公开(公告)号：CN115114829B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202210828082.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种模拟芯片界面材料互融机理的功率半导体器件多层级失效建模方法，属于功率半导体器件失效模拟仿真领域。该方法包括：构建功率半导体器件层级多物理场有限元模拟模型，得到器件截面的电流密度和应力分布；构建功率半导体元胞层级多物理场有限元模拟模型，并提取器件截面的电流密度和应力分布作为模型边界条件，得到各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布；构建功率半导体材料层级分子动力学模拟模型，并提取各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布作为模型边界条件，得到芯片界面材料互融的发生条件和部位。本发明实现了宏观器件失效边界应力向微观材料互融模拟的传递，能够获取材料互融的发生条件和部位。
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公开(公告)号：CN118399827A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410505540.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 重庆大学
IPC: H02P21/22 , H02P21/14 , H02P25/022 , H02P27/12
Abstract: 本发明涉及一种永磁同步电驱系统相电流重构分时采样误差校正方法，属于电驱系统技术领域，包括以下步骤：S1：建立各个电压矢量作用时的戴维南等效电路，计算各个电压矢量作用时的电流纹波斜率；S2：根据PWM的三相占空比判断参考电压矢量所处扇区；S3：根据三相占空比计算各电压矢量作用时间；S4：根据计算的各电压矢量电流斜率和作用时间，计算PWM末的电流值。本发明消除了相电流重构的分时采样误差与偏离平均电流的误差，补偿后，重构电流与实际电流相合性更好；本方法适用于基于各种PWM变形的相电流重构算法。
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公开(公告)号：CN115360902A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211200063.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 重庆大学
IPC: H02M1/44 , H02M1/12 , H02M1/00 , H02M1/38 , H02M7/5387 , H02P21/14 , H02P27/12 , H02P25/022
Abstract: 本发明涉及一种基于多矢量调制型模型的碳化硅电驱系统共模电压抑制方法，属于新能源领域。该方法为：S1：根据传统共模抑制方法导致的电机相电流畸变，建立碳化硅电驱系统模型预测控制仿真模型；S2：根据不同电压矢量对碳化硅器件开关特性的影响，提出目标函数中电压矢量的选择方法；S3：根据调制型模型预测控制的原理，理论推导多矢量的作用时间；S4：提出对应的多矢量作用时间死区补偿措施，将补偿后的电压脉冲信号输出到碳化硅逆变器中，实现抑制共模电压和电流畸变的碳化硅电驱系统模型预测控制。本发明方法能够有效抑制碳化硅电驱系统中的共模电压，同时降低电机电流的总谐波畸变率。
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公开(公告)号：CN115148692A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210518584.6
申请日：2022-05-12
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构，属于半导体封装技术领域。该结构包括U型栅极顶针，实现压接型SiC MOSFET器件栅极良好的电气连接；还包括垂直换流路径的压接封装结构，具体包括漏极铜板、上钼层、SiC MOSFET芯片、下钼层和源极铜板，用于降低现有焊接封装的分立式SiC MOSFET器件的寄生电感，提升高频工况下SiCMOSFET器件的开关性能。本发明能够降低分立式SiC MOSFET器件封装寄生电感，从而提升其开关性能；另外，本发明结构具有小体积、可重复利用的优点，降低了压接封装器件成本。
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公开(公告)号：CN111897039B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010839678.4
申请日：2020-08-19
Applicant: 重庆大学
IPC: G02B5/08
Abstract: 本发明公开一种紫外光平面反射镜，包括平面基体和多层镀膜结构；所述多层镀膜结构由二氧化钛层与二氧化硅层交替层叠镀膜形成，所述多层镀膜结构的总层数为30~34，二氧化钛层的膜层厚度为10~99nm，二氧化硅层的膜层厚度范围29~140nm。所述紫外光平面反射镜从多个维度综合考虑（膜层材料、层数、膜层厚度以及膜层厚度变化规律），设计出紫外光反射镀层结构，不仅降低了总层数，并且能够针对太阳光中的紫外光进行反射：对紫外光的反射率达到90%以上，对红外光及可见光的反射率在10%以下。不仅具有良好的光学性能，还具有良好的强度，并且能组成较大的阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103541671B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310549272.2
申请日：2013-11-06
Applicant: 重庆大学
IPC: E21B19/18
Abstract: 本发明公开了一种钻杆组自动装卸平台，包括底板、滑台、侧滑驱动装置和钻杆组定位组件，滑台单自由度滑动连接于底板并通过所述侧滑驱动装置驱动往复滑动，钻杆组定位组件安装于滑台，将由钻杆和风筒组合构成的钻杆组放置于本发明的钻杆组自动装卸平台上定位后，能通过滑台送至螺旋钻式采煤机的主轴和已接钻杆组之间，控制主机推进便能完成钻杆组的装接，装接后滑台能退回原位置，进行下一组钻杆组的安装，逆向执行便可实现钻杆组的拆卸，可取代人工装卸，降低工人劳动强度，同时能对钻杆组进行精确的定位，使钻杆装卸过程顺利进行，节约时耗，提高煤层开采效率。
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公开(公告)号：CN117574772A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311611232.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/08 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于功率反馈的功率半导体器件数字孪生模型构建方法，该方法包括：获取功率半导体器件的测试数据及多物理场初始仿真结果；对多物理场初始仿真结果进行机器学习，得到多物理场扩展仿真结果；对多物理场扩展仿真结果进行降阶处理，确定功率半导体器件的初始数字孪生体模型；根据测试数据对初始孪生体模型的参数进行修正，得到功率半导体的目标数字孪生体模型。本发明通过不断改变有限元模型的边界条件，获得不同工况下的器件物理场数据，进而在构建数字孪生体时，用电流对应的功率损耗作为数字孪生模型的输入，即对数字孪生体与原有限元模型之间的输入参数进行了“错位”处理，提高了数字孪生模型的准确性。
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公开(公告)号：CN115684997A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211356605.5
申请日：2022-11-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种压接封装功率器件短路耐受能力测试及评估方法，属于电力电子器件技术领域。该方法包括：S1：搭建测试平台；S2：获取待测器件实际应用工况下电压等级、压力加载、环境温度与最大结温波动范围；S3：分别进行不同电压、压力、温度等级下压接封装器件短路耐受能力测试，实时监测器件短路电流、集射极电压和栅射极电压的变化，直至功率器件短路失效，对应获取电压与短路临界能量及临界温度的关系，压力与短路电流的关系，温度与短路电流的关系；S4：根据测试结果，得出待测压接封装器件短路耐受能力与电压、压力、温度的关系。本发明考虑了压接封装功率器件的特殊应用条件，提高了压接封装功率器件短路耐受能力测评的准确性。
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公开(公告)号：CN115172299A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210826747.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及一种提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。该结构包括功率半导体芯片、集电极钼片、发射极钼片、缓冲层、集电极电极和凸台，以及在功率半导体芯片有源区的边缘区域表面添加的高导热和高热容材料，具体包括聚合物型金属导电浆料、烧结后的烧结型金属导电浆料、通过电镀得到的金属层等。本发明通过高导热和高热容材料，能改善芯片有源区边缘瞬态散热能力，从而提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装优化设计。
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公开(公告)号：CN115114829A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210828082.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种模拟芯片界面材料互融机理的功率半导体器件多层级失效建模方法，属于功率半导体器件失效模拟仿真领域。该方法包括：构建功率半导体器件层级多物理场有限元模拟模型，得到器件截面的电流密度和应力分布；构建功率半导体元胞层级多物理场有限元模拟模型，并提取器件截面的电流密度和应力分布作为模型边界条件，得到各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布；构建功率半导体材料层级分子动力学模拟模型，并提取各元胞内部任意两种材料所形成界面的温度和应力分布作为模型边界条件，得到芯片界面材料互融的发生条件和部位。本发明实现了宏观器件失效边界应力向微观材料互融模拟的传递，能够获取材料互融的发生条件和部位。
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