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公开(公告)号：CN119643598A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411747359.5
申请日：2024-12-02
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明提供一种大尺寸薄层材料的LabDCT表征方法，涉及材料技术领域。将薄层材料固定贴敷于空心管内或套设于空心管外，带有薄层材料的空心管置于LabDCT设备中进行表征，所述薄层材料包括箔材和薄膜材料。本发明通过设置空心管，将薄层材料贴敷于空心管内或套设于空心管外，并置于LabDCT设备中进行表征分析，该方法能够有效增加LabDCT表征材料的尺寸，扩宽了LabDCT仪器的应用范围，本发明所提供的装置和操作方法均简单可行，使用成本低。通过常用方法表征可以获得特殊几何形貌的薄层材料内部晶体取向和晶粒尺寸等重要信息，有利于推动对薄层材料科学研究的进一步发展，以及工业用薄层材料的检验方法等发展。
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公开(公告)号：CN112505071B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011604046.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的位错三维定量表征方法及系统，首先通过透射电镜获取样品的位错多个不同角度的图像，根据获得的图像构建在预设坐标系下描述的、包含位错的几何信息的三维图像，然后获取透射电镜对样品成像时样品在预设坐标系的参考取向参量，并根据参考取向参量获得预设坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据位错在预设坐标系下的三维图像以及转换参量，获得位错在样品的晶体坐标系下描述的三维图像。本发明通过基于关联晶体学分析实现样品坐标系和晶体坐标系之间的转换，能够实现在晶体坐标系中位错几何特征和晶体学特征的高精度定量集成表征。
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公开(公告)号：CN111104641B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201911259954.3
申请日：2019-12-10
Applicant: 重庆大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明涉及一种三维空间内的计算机识别晶粒方法，特别涉及数据处理领域。包括：(1)使用种子算法对三维空间内取向数据进行处理，能够快速地实现晶粒的识别和提取。(2)摆脱了传统二维图像衬度识别晶粒的方法，使用取向矩阵计算的取向差作为晶粒区分的依据，具有良好的数据准确性和可靠性。(3)基于三维空间中相邻26连接的体素判别，充分考虑了在三维空间上晶粒的几何学形态以及连接特性。(4)本发明是基于体素的三维取向数据，能够适用于三维空间下的大部分取向重构技术所获取的取向数据，故可以应用于各种尺度下晶粒的识别与区分，具有良好的适应性。本方案解决了如何在三维空间内准确、快速识别晶粒的技术问题，适用于晶粒识别。
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公开(公告)号：CN112378937A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011281334.2
申请日：2020-11-16
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/203 , G01N23/205 , G01N23/20058 , G01N23/20025
Abstract: 本发明公开了一种平插式的电子探头，涉及电子显微成像技术、金属材料晶体学表征技术领域，使其具有更高的空间分辨率，同时支持样品的大范围移动，以及能够直接获取背散射电子图像；提高大尺寸样品的适用性、以及与ECCI技术联合使用的便利性，具体方案为：包括电子枪、传输通道、样品室、信号读取装置和信号接收装置，电子枪用于发射电子束，电子束通过传输通道进入至样品室，样品室内设有样品台，样品台用于放置样品，电子束照射到样品并进行背散射，信号读取装置用于接收经样品台背散射的电子束，信号读取装置为CCD相机，CCD相机与信号接收装置数据连接。本发明提供的一种平插式的电子探头空间分辨率高，直插式的EBSD探头工作距离更小。
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公开(公告)号：CN106825100A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710084610.8
申请日：2017-02-16
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高强高塑性IF钢的制备方法，所述新型高强高塑性IF钢的制备方法是在原始材料中引入非均匀性，通过选取合适热处理条件调节成为具有自相似的从介观尺度到微观尺度均具有非均匀特征的层状组织，从而实现高强度高塑性的性能匹配。本发明提供的新型高强高塑性IF钢的制备方法，与其他剧烈塑形变形工艺不同，能够生产大尺度样品，从而具有实际应用价值；在保证延伸率的同时，提高强度至少一倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113215459B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110501127.1
申请日：2021-05-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Al‑Cu‑Mn纳米结构耐热变形铝合金，涉及铝合金制造领域，包括Cu元素和Mn元素为主要合金元素；Fe元素，Si元素，Ni元素和Ti元素为微量杂质元素，杂质元素单个含量不高于0.08％，总量不高于0.15％；关键组分的化学元素百分比分别为：Cu 3.5‑5.0％，Mn 0.8‑1.5％，余量为Al元素。本发明提供的一种Al‑Cu‑Mn纳米结构耐热变形铝合金具有耐热性好，在200℃以上可长期使用的优点，且具有很好的经济性和实用性。
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公开(公告)号：CN113215459A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110501127.1
申请日：2021-05-08
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种Al‑Cu‑Mn纳米结构耐热变形铝合金，涉及铝合金制造领域，包括Cu元素和Mn元素为主要合金元素；Fe元素，Si元素，Ni元素和Ti元素为微量杂质元素，杂质元素单个含量不高于0.08％，总量不高于0.15％；关键组分的化学元素百分比分别为：Cu 3.5‑5.0％，Mn 0.8‑1.5％，余量为Al元素。本发明提供的一种Al‑Cu‑Mn纳米结构耐热变形铝合金具有耐热性好，在200℃以上可长期使用的优点，且具有很好的经济性和实用性。
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公开(公告)号：CN110161064A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910495611.0
申请日：2019-06-10
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明属于材料技术领域，公开了一种XRD三维晶体学重构三轴样品台及使用方法，样品台底座为圆形，四周设有四个固定螺纹孔，样品台底座上方设有旋转台，旋转台侧壁设有涡轮，旋转台与底座在中心用螺栓连接，旋转台与底座间设有滚动轴承。样品台底座上设有第一电机，第一电机与旋转台通过涡轮连接，带动旋转台沿中心轴转动。旋转台两侧设有对称的第一立柱和第二立柱，两立柱上设有圆孔，圆孔中插入一摇篮杆，第一立柱上设有第二电机，第二电机通过皮带连接带动摇篮杆转动。摇篮杆上设有第三电机，第三电机上设有载物台，第三电机可使载物台转动，载物台上接有三维晶体学重构试样。本发明设计巧妙，容易拆卸，操作方便，成本较低。
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公开(公告)号：CN109811175A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910230356.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于石墨烯-铜复合材料领域，公开了一种石墨烯-铜复合材料制备方法，通过气相沉积法使铜箔双面生长石墨烯，再将两片以上的双面生长了石墨烯的铜箔通过真空热压工艺压合成为一块石墨烯-铜复合材料，其中真空热压过程的压力与温度同步梯度上升。本发明通过气相沉积法使得单层石墨烯生长在铜箔的两面，再经真空热压工艺压合成石墨烯-铜复合材料，从而石墨烯较均匀地分布在铜箔的双面，使得复合材料具有良好的力学性能、导电性能和导热性能；同时真空热压过程压力与温度同步梯度上升，规避了真空热压过程中双面生长了石墨烯的铜箔内产生较大的热应力，使得相邻两片铜箔之间的结合更加致密，有利于进一步提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN119372756A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411521419.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法，在还原性气氛中，以第一温度对铜箔进行第一次退火处理，然后沿单一方向对铜箔实施拉伸，总延伸率为0.1‑1.0％，再在还原性气氛中，以第二温度对铜箔进行第二次退火处理，随后空冷即得；其中，第一温度小于第二温度。本发明利用退火结合单轴拉伸工艺，能够根据具体需求制备出长度超过10cm的大尺寸单晶铜箔。本发明的制备方法制备成本低、操作简便，具有良好工业化生产潜力。
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