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公开(公告)号：CN109811175A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910230356.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明属于石墨烯-铜复合材料领域，公开了一种石墨烯-铜复合材料制备方法，通过气相沉积法使铜箔双面生长石墨烯，再将两片以上的双面生长了石墨烯的铜箔通过真空热压工艺压合成为一块石墨烯-铜复合材料，其中真空热压过程的压力与温度同步梯度上升。本发明通过气相沉积法使得单层石墨烯生长在铜箔的两面，再经真空热压工艺压合成石墨烯-铜复合材料，从而石墨烯较均匀地分布在铜箔的双面，使得复合材料具有良好的力学性能、导电性能和导热性能；同时真空热压过程压力与温度同步梯度上升，规避了真空热压过程中双面生长了石墨烯的铜箔内产生较大的热应力，使得相邻两片铜箔之间的结合更加致密，有利于进一步提高复合材料的力学性能。
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