公开(公告)号：CN116815124A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310858349.8

申请日：2023-07-13

Applicant: 郑州航空工业管理学院

Inventor： 黄亚博 ,  王旭磊 ,  孙逸翔 ,  任文慧 ,  黄宝柱 ,  高阳 ,  武晓歌 ,  郭晓琴

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，公开一种低界面热阻氮化镓/金刚石材料的制备方法。S1、制备多晶金刚石膜，随后对其切割、研磨、抛光；S2、将氮化镓晶圆和步骤S1制备的金刚石膜分别清洗后，采用磁控溅射技术在氮化镓的氮面和金刚石膜单面分别镀制银铜钛合金介质层；S3、ICP刻蚀步骤S2所得氮化镓和金刚石膜的银铜钛合金介质层，得到刻蚀层；刻蚀结束后，清洗，真空烘干备用；S4、将步骤S3所得氮化镓和金刚石膜的刻蚀层上下面对面堆叠放置作为键合试样，然后直流电弧等离子体加热，得到目标产品。本发明通过介质层设计和独特的键合加热方式，能够在很大程度上提升氮化镓和金刚石的键合强度以及减低界面热阻。