公开(公告)号：CN117567168A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311625078.8

申请日：2023-11-30

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 范天扬 ,  张昕 ,  刘勋 ,  宋运运

IPC: C04B37/00

Abstract: 本发明属于反应烧结SiC陶瓷技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法。步骤为：将反应烧结碳化硅的缺陷部位机加出被补工件，利用SiC素坯补配加工出单自由度互补件，涂敷粘结剂，采用间隙配合的方式连接，然后施压干燥、打磨，将连接件中烧结体与充足的Si源接触，置于特定环境中烧结，处理后精加工得到SiC陶瓷部件。本发明通过素坯互补件间隙配合的方式控制精度和余量，利用毛细管力吸附SiC烧结体中游离Si进入、Si源不断补充烧结体的动力学原理，通过同质反应连接达到提高纯度和致密化的效果，使烧结体和素坯的连接成为现实，提高了半导体装备用高纯SiC陶瓷部件的利用率，避免了重复制备工序，操作容易，过程简单。

公开(公告)号：CN119551971A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411692630.X

申请日：2024-11-25

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 张昕 ,  李丙文 ,  范天扬 ,  宋运运 ,  李顺顺 ,  张霖 ,  赵延军

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/581 ,  C04B35/505 ,  C04B35/624 ,  C04B41/88 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明属于精密功能陶瓷零部件技术领域，具体涉及一种静电卡盘用多层陶瓷及其制备方法。本发明所述多层陶瓷制备方法，先采用水基凝胶流延成型方式成型出陶瓷素坯，再经过交联固化、叠片、脱脂、烧结等步骤，制备得到致密的氧化铝多层共烧陶瓷。本发明通过优化陶瓷浆料成分降低陶瓷素坯固化过程中的收缩率、事先加工出与电极结构相对应的让位空间以及采用激光隐形切割工艺在陶瓷基片内部预先加工出用于补偿陶瓷在烧结过程中收缩空间，来降低多层陶瓷烧结过程中的翘曲、鼓包等变形问题，进而制备出高平整度、电极层均匀分布的静电卡盘。

公开(公告)号：CN117602959A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311622598.3

申请日：2023-11-30

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 宋运运 ,  范天扬 ,  程强 ,  何辉 ,  周继光 ,  刘杰

IPC: C04B37/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明属于碳化硅陶瓷材料加工技术领域，具体涉及一种中空流道碳化硅吸盘底座及其制备方法。本发明所述中空流道碳化硅吸盘底座的制备方法，先制备第一SiC碳坯，再将两块第一SiC碳坯扣合，并通过施压固化、低温反应烧结的方式制备产品，使用时，将上层第一SiC碳坯与下层第一SiC碳坯相扣合，两个第一SiC碳坯之间使用陶瓷粘接膜进行连接。通过本发明的制备方法，能够使制备得到的SiC吸盘底座具有良好的机械强度、致密性，并能够使制备得到的SiC吸盘底座中空流道结构完整，消除残Si对产品性能的影响。本申请的制备方法具有成本低廉、原理简单、容易操作的特点。本发明的制备方法具备环境友好性，易于在碳化硅陶瓷材料加工领域推广应用。

公开(公告)号：CN117602947A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311622581.8

申请日：2023-11-30

Applicant: 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 宋运运 ,  范天扬 ,  张昕 ,  李顺顺 ,  陈恩厚

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于碳化硅陶瓷材料加工技术领域，具体涉及一种无压烧结碳化硅的凝胶连接方法。所述无压烧结碳化硅的凝胶连接方法，使用第一模具和第二模具通过浇注连接、无压烧结的方式制备碳化硅产品。本发明的方法根据浆料固化收缩‑时间曲线，更科学合理地进行凝胶连接，利用凝胶注模在反应期完成连接并再次诱导，消除氧阻聚层；同时采用二区控温的干燥和无压烧结工艺，根据热流始终向上的特性，设定上区控温较下区产生一定的滞后，实现温度均匀，同时释放应力，使各区收缩一致和连接层均匀，使成品无缺陷，并具有操作容易，过程简单的特点。本发明的方法效率高、操作简单，在大尺寸碳化硅陶瓷件的连接上有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN119100801A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411101228.X

申请日：2024-08-12

Applicant: 郑州三磨超硬材料有限公司 ,  郑州磨料磨具磨削研究所有限公司

Inventor： 范天扬 ,  李丙文 ,  陈恩厚 ,  张欣 ,  宋运运

IPC: C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明属于半导体装备用精密陶瓷部件技术领域，具体涉及一种一体式卧式碳化硅晶舟及其制备方法。本发明通过将注浆体系混合料和不同粒度的碳化硅粉体混合、球磨，得到浆料，然后浇注得到碳化硅晶舟素坯，最后再通过排胶、浸渍、反应烧结等工序，得到碳化硅晶舟产品。本发明通过对浆料组成以及制备工艺参数进行调整，以实现碳化硅晶舟的一体化制备，并对碳化硅晶舟产品的性能进行改善。本发明所述制备方法在反应烧结时，采用涂覆Si3N4的方式取代传统的BN阻渗，避免了B杂质的引入。本发明中的浆料在制备时采用四级颗粒配比，通过颗粒紧密堆积制备出高固含量的浆料。本发明的制备方法工序简单、制备周期短，避免了多工序过程中杂质的引入。