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公开(公告)号：CN118955093A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411038508.0
申请日：2024-07-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种低电阻率铟镓锡氧化物(IGTO)溅射靶材的制备方法，属于光电器件材料技术领域。本发明是将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锡粉末按一定的铟镓锡原子比(70:15:15，70:10:20，70:20:10)加入到球磨罐中，并加入去离子水、分散剂和粘结剂，采用高能球磨技术制得高固含量低粘度的IGTO浆料；采用压力注浆成形技术或者造粒‑模压‑冷等静压成型技术制得高密度微观组织均匀的IGTO靶材素坯；采用无压脱脂烧结一体化技术制得高密度低电阻率晶粒细小的IGTO靶材烧结体。实施例得实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的铟镓锡氧化物溅射靶材的相对密度为98.2～99.8％。
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