公开(公告)号：CN104870585B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380066857.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 道康宁公司 ,  道康宁东丽株式会社

Inventor： 吉田真宗 ,  吉武诚 ,  山崎春菜 ,  尼子雅章 ,  S·斯维尔 ,  中田稔树

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/50 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/296 ,  B32B3/30 ,  B32B7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2250/24 ,  B32B2264/104 ,  B32B2307/418 ,  B32B2307/536 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/50 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2241 ,  C08K2201/00 ,  C09D183/10 ,  C09J183/10 ,  H01L21/56 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明涉及一种用于压缩模制或层合的可热熔的固化性有机硅组合物和具有包含所述组合物的至少一个层的层合体，以及使用这些的半导体器件及其制造方法。根据本发明，可有效地制造具有半球形透镜或圆顶形密封体的半导体器件。在本发明中，易于控制所述密封体的形状，并且所述密封体不含任何气泡。在本发明中，还易于与所述密封体分开地控制所述半导体器件的涂层的厚度。

公开(公告)号：CN104870585A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380066857.7

申请日：2013-12-20

Applicant: 道康宁公司 ,  道康宁东丽株式会社

Inventor： 吉田真宗 ,  吉武诚 ,  山崎春菜 ,  尼子雅章 ,  S·斯维尔 ,  中田稔树

IPC: C09D183/10 ,  C08G77/50 ,  C09J183/10 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/296 ,  B32B3/30 ,  B32B7/02 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B2250/24 ,  B32B2264/104 ,  B32B2307/418 ,  B32B2307/536 ,  B32B2457/14 ,  C08G77/50 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2241 ,  C08K2201/00 ,  C09D183/10 ,  C09J183/10 ,  H01L21/56 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24983 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明涉及一种用于压缩模制或层合的可热熔的固化性有机硅组合物和具有包含所述组合物的至少一个层的层合体，以及使用这些的半导体器件及其制造方法。根据本发明，可有效地制造具有半球形透镜或圆顶形密封体的半导体器件。在本发明中，易于控制所述密封体的形状，并且所述密封体不含任何气泡。在本发明中，还易于与所述密封体分开地控制所述半导体器件的涂层的厚度。

公开(公告)号：CN104583280B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201380044230.1

申请日：2013-09-06

Applicant: 道康宁东丽株式会社

Inventor： 宫本侑典 ,  吉武诚 ,  吉田宏明 ,  中田稔树 ,  平井和夫

IPC: C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  H01L23/29 ,  C08L83/07

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C09J183/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/296 ,  H01L24/73 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种固化性硅酮组合物，其为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物并包含选自除苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物。所述固化性硅酮组合物例如包含(A)每个分子具有至少2个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷，(B)每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷，(C)选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物，以及(D)硅氢加成反应催化剂。所述固化性硅酮组合物形成具有极佳透明性和耐热冲击性的固化产品，并且利用所述组合物的光学半导体器件具有极佳的可靠性。

公开(公告)号：CN104583280A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044230.1

申请日：2013-09-06

Applicant: 道康宁东丽株式会社

Inventor： 宫本侑典 ,  吉武诚 ,  吉田宏明 ,  中田稔树 ,  平井和夫

IPC: C08G77/50 ,  C08L83/04 ,  H01L23/29 ,  C08L83/07

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C09J183/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/296 ,  H01L24/73 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种固化性硅酮组合物，其为用于密封、涂布或粘附光学半导体元件的硅氢加成反应固化性硅酮组合物并包含选自除苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物。所述固化性硅酮组合物例如包含(A)每个分子具有至少2个脂族不饱和烃基的有机聚硅氧烷，(B)每个分子具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷，(C)选自除未经取代的苯并三唑以外的基于三唑的化合物的至少一种类型的化合物，以及(D)硅氢加成反应催化剂。所述固化性硅酮组合物形成具有极佳透明性和耐热冲击性的固化产品，并且利用所述组合物的光学半导体器件具有极佳的可靠性。