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公开(公告)号：CN114575933A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111356342.3
申请日：2021-11-16
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本文公开了在硅基基底上形成烧结补片的方法。该方法包括：在硅基基底上施加补片浆料；对硅基基底上的补片浆料进行干燥，形成干燥的补片材料；以及在氧化气氛中对干燥的补片材料进行烧结，在硅基基底上形成烧结补片。补片浆料包含补片材料，所述补片材料包含在流体载体中的硅酸盐。
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