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公开(公告)号：CN103578933A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310338519.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J.D.迈克尔 , S.D.阿瑟 , T.L.约翰逊 , D.A.利利恩菲尔德
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。
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公开(公告)号：CN103578933B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201310338519.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J.D.迈克尔 , S.D.阿瑟 , T.L.约翰逊 , D.A.利利恩菲尔德
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。
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公开(公告)号：CN117219651A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311017276.6
申请日：2017-03-09
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 超结(SJ)装置包括一个或多个电荷平衡(CB)层。每个CB层包括具有第一导电型的外延(epi)层和具有第二导电型的多个电荷平衡(CB)区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780806A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019384.3
申请日：2017-03-09
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/732 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/329 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/046 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66272 , H01L29/66909 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 超结（SJ）装置包括一个或多个电荷平衡（CB）层。每个CB层包括具有第一导电型的外延（epi）层和具有第二导电型的多个电荷平衡（CB）区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。
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公开(公告)号：CN108369963A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201580085384.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , J.J.麦克马宏
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L29/6603
Abstract: 本申请公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率器件，更具体地，涉及SiC超结(SJ)功率器件。SiC-SJ器件包括多个第一导电类型的SiC半导体层，其中多个SiC半导体层中的第一和第二SiC半导体层包括邻近有源区设置的终端区，在有源区和终端区之间形成有界面，其中第一和第二SiC半导体层的终端区包括多个第二导电类型的注入区，并且其中第一SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布不同于第二SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布。
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公开(公告)号：CN108369963B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201580085384.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , J.J.麦克马宏
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L29/167
Abstract: 本申请公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率器件，更具体地，涉及SiC超结(SJ)功率器件。SiC‑SJ器件包括多个第一导电类型的SiC半导体层，其中多个SiC半导体层中的第一和第二SiC半导体层包括邻近有源区设置的终端区，在有源区和终端区之间形成有界面，其中第一和第二SiC半导体层的终端区包括多个第二导电类型的注入区，并且其中第一SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布不同于第二SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布。
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公开(公告)号：CN103443924B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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公开(公告)号：CN103443924A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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