公开(公告)号：CN108369963A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085384.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  J.J.麦克马宏

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/167

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6603

Abstract: 本申请公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率器件，更具体地，涉及SiC超结(SJ)功率器件。SiC-SJ器件包括多个第一导电类型的SiC半导体层，其中多个SiC半导体层中的第一和第二SiC半导体层包括邻近有源区设置的终端区，在有源区和终端区之间形成有界面，其中第一和第二SiC半导体层的终端区包括多个第二导电类型的注入区，并且其中第一SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布不同于第二SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布。

公开(公告)号：CN108369963B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201580085384.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  J.J.麦克马宏

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/167

Abstract: 本申请公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率器件，更具体地，涉及SiC超结(SJ)功率器件。SiC‑SJ器件包括多个第一导电类型的SiC半导体层，其中多个SiC半导体层中的第一和第二SiC半导体层包括邻近有源区设置的终端区，在有源区和终端区之间形成有界面，其中第一和第二SiC半导体层的终端区包括多个第二导电类型的注入区，并且其中第一SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布不同于第二SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布。