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公开(公告)号：CN102315323B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073 , H01L31/0392 , H01L31/0296
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN102315323A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110227909.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/073 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明涉及光伏电池以及用于形成光伏电池的背接触的方法。提供了一种用于形成包括至少一个半导体层(22，24)的光伏电池(10)的背接触(12)的方法。一个方法包括在金属接触(20)上沉积至少一个背接触材料(16)。该背接触材料包括金属氮化物或金属磷化物。该方法进一步包括在该背接触材料上沉积包括镉和碲的吸收层(22)并热处理该背接触材料，使得该背接触材料与该吸收层相互作用来形成降低该光伏电池的接触电阻的夹层(30)。还提供了光伏电池(10)并且包括金属接触、设置在该金属接触上的至少一个背接触材料，以及设置在该背接触材料上的包括含镉和碲的材料的吸收层。夹层设置在该背接触材料和吸收层之间并包括该背接触材料和吸收层材料的组分梯度层(30)。该光伏电池进一步包括设置在该吸收层上的窗口层。
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公开(公告)号：CN101958347B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201010236517.2
申请日：2010-07-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·察卡拉科斯 , E·G·巴特菲尔德 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科尔瓦尔
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: G02B1/118 , B82Y20/00 , G02B1/02 , G02B1/11 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/055 , H01L33/46 , Y02E10/52 , Y10S977/834
Abstract: 在本发明的一方面，描述一种包括设置在衬底上的纳米结构功能涂层的物品。该功能涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。还描述相关的光电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136516A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010625163.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/06 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L31/035227 , H01L31/03529 , Y02E10/543
Abstract: 公开了一种光伏(PV)电池(200)。该PV电池包括多个超微结构(202)，其电耦合于多晶光活性吸收层(204)并嵌入该多晶光活性吸收层(204)内，其中该多晶光活性吸收层(204)包括p型化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101958347A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010236517.2
申请日：2010-07-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： L·察卡拉科斯 , E·G·巴特菲尔德 , A·M·斯里瓦斯塔瓦 , B·A·科尔瓦尔
IPC: H01L31/0216 , H01L31/052
CPC classification number: G02B1/118 , B82Y20/00 , G02B1/02 , G02B1/11 , G02F1/3501 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , H01L31/02161 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/055 , H01L33/46 , Y02E10/52 , Y10S977/834
Abstract: 在本发明的一方面，描述一种包括设置在衬底上的纳米结构功能涂层的物品。该功能涂层的特征在于抗反射性质和向下转换性质。还描述相关的光电器件。
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公开(公告)号：CN102074594A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010545218.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0296 , H01L31/1836 , Y02E10/50
Abstract: 提供光伏器件。该光伏器件包括吸收层，其包括p型半导体，其中至少一层设置在该吸收层之上。该至少一层是具有比该吸收层的载流子密度高的载流子密度的半导体。该至少一层包括硅。该至少一层包括p+型半导体。该吸收层基本上没有硅。提供形成该光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN101604707A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910149112.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/18
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , H01L31/03928 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及绝缘涂料，它的制造方法和包括它的制品。在这里公开的是制品，它包括金属基材10；绝缘层20，该绝缘层20在膨胀的热等离子体中被布置在金属基材10上；和半导体层40，该半导体层40被布置在绝缘层20上。在这里公开的还有方法，该方法包括：将绝缘层20布置在金属基材上；绝缘层20与金属层紧密接触；其中绝缘层20是从金属－有机前体形成的，和其中绝缘层20是在膨胀的热等离子体中沉积的；和将半导体层40布置在绝缘层上。
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公开(公告)号：CN101232030A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003798.X
申请日：2008-01-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/142 , H01L23/522
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构，作为一个示范性实施例的半导体结构可以包括：具有一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面，并包括至少一个穿过所述半导体衬底的通孔，其中，采用导电材料填充所述至少一个通孔；以及设置在所述半导体衬底的所述前表面或后表面的至少部分上的半导体层，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料配置为将所述半导体层电连接至设置在所述衬底的表面上或者上方的至少一个正面接触。
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