一种抗氧化微米铜的制备方法

    公开(公告)号:CN109732099A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201910175367.X

    申请日:2019-03-08

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明涉及一种抗氧化性微米铜的制备方法。微米铜制备过程采用液相还原法,包括如下步骤:1)将无水乙醇与有机胺混合,加入四水甲酸铜形成铜胺络合物溶液;2)向铜胺络合物溶液中加入保护剂,同时持续加热;3)向步骤2)所得产物中加入还原剂,加热至容器壁出现金属光泽后冷却;4)采用离心与自沉降结合的方法收集微米铜颗粒,并用洗涤液洗涤,烘干后即得目标产物。制得的微米铜颗粒产量高,纯度高,抗氧化性好,不易发生团聚,稳定性好,在乙醇溶液中不避光条件下存放120天未发生氧化变质。

    一种制备高性能AZO透明导电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN106435533A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610625557.3

    申请日:2016-08-02

    Applicant: 辽宁大学

    CPC classification number: C23C18/1216 C23C18/1254 C23C18/1295

    Abstract: 本发明公开了一种制备高性能AZO透明导电薄膜的方法。分为前驱体溶胶的配制、旋涂法制备薄膜、真空退火反溅清洗三大步骤。第一步,将一定量的二水合乙酸锌溶解在乙二醇甲醚或乙二醇乙醚等溶剂中,随后向溶液加入稳定剂单乙醇胺,掺杂离子九水硝酸铝,水浴搅拌,室温下陈化得到均一稳定的前驱体溶胶。第二步,采用溶胶凝胶旋涂法在玻璃片、石英、硅等基片上旋涂沉积前驱体湿凝胶,经干燥、低温热处理,得到一定厚度的AZO薄膜。第三步,将AZO薄膜先在中真空度条件下退火处理,随后以Ar+对薄膜表面进行反溅清洗。经过以上三个步骤,即可获得电阻率极低、可见光及近紫外光透过率很高的AZO透明导电薄膜。

    氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104451610B

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201410681488.9

    申请日:2014-11-24

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以提高氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜(FTO)的电导率。以SnCl2·2H2O,NH4F为起始原料配置成溶胶后,通过将溶胶搅拌蒸发制成干凝胶,再溶解成溶胶的过程去除Cl‑;同时先在玻璃基底旋涂一层SiO2,阻止玻璃中的Na+,Ca+等杂质离子进入FTO薄膜;结合在氮气中退火等综合方法,进一步提高薄膜的导电性能。

    一种多孔钙铝水滑石的制备方法及其在污水除铅中的应用

    公开(公告)号:CN119349620A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411489778.3

    申请日:2024-10-24

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明涉及重金属废水处理技术领域,公开一种多孔钙铝水滑石的制备方法及其在污水除铅中的应用。具体方案为:利用离子液体水溶液作为反应溶剂和模板剂,铝、钙、钠化合物为溶质,合成孔径均匀、吸附力强的多孔铝钙水滑石,多孔钙铝水滑石对铅的去除率能达到98%以上。所采取的制备方法较传统的方式效率更高,有利于多孔材料的产业化发展,可为重金属去除提供更为优异的材料。

    一种抗氧化微米铜的制备方法

    公开(公告)号:CN109732099B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201910175367.X

    申请日:2019-03-08

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明涉及一种抗氧化性微米铜的制备方法。微米铜制备过程采用液相还原法,包括如下步骤:1)将无水乙醇与有机胺混合,加入四水甲酸铜形成铜胺络合物溶液;2)向铜胺络合物溶液中加入保护剂,同时持续加热;3)向步骤2)所得产物中加入还原剂,加热至容器壁出现金属光泽后冷却;4)采用离心与自沉降结合的方法收集微米铜颗粒,并用洗涤液洗涤,烘干后即得目标产物。制得的微米铜颗粒产量高,纯度高,抗氧化性好,不易发生团聚,稳定性好,在乙醇溶液中不避光条件下存放120天未发生氧化变质。

    氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104451610A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410681488.9

    申请日:2014-11-24

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本发明涉及一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以提高氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜(FTO)的电导率。以SnCl2·2H2O,NH4F为起始原料配置成溶胶后,通过将溶胶搅拌蒸发制成干凝胶,再溶解成溶胶的过程去除Cl-;同时先在玻璃基底旋涂一层SiO2,阻止玻璃中的Na+,Ca+等杂质离子进入FTO薄膜;结合在氮气中退火等综合方法,进一步提高薄膜的导电性能。

    一种纯相BaMnF4粉体纳米多铁材料的水热制备方法

    公开(公告)号:CN107502346A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710658942.2

    申请日:2017-08-04

    Applicant: 辽宁大学

    Abstract: 本法公开一种纯相BaMnF4粉体纳米多铁材料的水热制备方法。该方法可制备纯相的纳米多铁材料BaMnF4粉体,从而获得具有增强性能的粉体。具体包括步骤为:将Ba(NO3)2和Mn(NO3)2混合搅拌,然后加入NH4HF2搅拌形成悬浊液,并移入水热釜中进行水热反应,经过清洗干燥而最终得到纳米尺度多铁材料BaMnF4粉体。其特点在于大大降低了BaF2和MnF2等杂质的含量,在XRD的检测中几乎没有任何的杂峰出现。同时该方法还具有反应条件温和,产品颗粒均匀等优点,生成产物还可用作纳米发光材料基质,表现出多功能材料的性质。

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