公开(公告)号：CN102217063A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980146718.9

申请日：2009-10-23

Applicant: 费查尔德半导体有限公司

Inventor： M·D·格林哈根 ,  金洙丘 ,  J·J·墨菲 ,  I·何 ,  E·缇贾 ,  C-L·吴 ,  M·拉森 ,  R·迪克西特

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/36 ,  H01L23/482 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/31 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了允许具有垂直功率器件的管芯被封装到晶片级别芯片级封装中的半导体管芯结构，其中电流传导端子呈现在管芯的一个表面处且器件具有极低导通状态电阻。在示例性实施例中，沟槽和孔径形成在管芯背侧中，其中孔径接触管芯顶表面处的导电区。导电层和/或导电体可置于沟槽和孔径上，以便将器件的背侧电流传导电极电耦合到导电区。还公开了使用具有根据本发明的管芯结构的管芯的封装和系统，以及制造具有根据本发明的管芯结构的管芯的方法。