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公开(公告)号：CN111286703B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010245239.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。所述制备方法包括以下步骤：以4N5镍和铂为原料，配制成铂的含量为21～31%的合金，将合金放入熔炼炉中进行熔炼，待原料熔化后置于浇铸模具中进行浇铸获得铸锭；再将铸锭采用温轧轧制形成坯料后再结晶退火，最后加工成型获得靶材。本发明制备获得了成品率高，稳定性好的含铂为21～31原子%的NiPt合金溅射靶材，通过控制晶粒取向改善了靶材的成膜速率和薄膜性能稳定性，获得了沉积速率和膜厚均匀性较好的NiPt薄膜，大大提高了生产效率，极大节约了成本。
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公开(公告)号：CN111270210B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186065.5
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN104018128B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN101984105A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010520680.1
申请日：2010-10-27
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及用真空热压法制备层状复合材料领域，具体为一种用真空热压法制备叠层弥散强化铂基复合材料的方法，以得到高致密度，叠层界面缺陷少的弥散强化铂基复合材料。该法通过真空熔炼，轧制，内氧化，剪片制备复合锭坯，然后将该锭坯在真空度为10-2～10-3Pa下，升温加热到1000～1500℃，加压10～50MPa，保压10～90min，然后随炉冷到室温。在上述真空环境下对复合锭坯加压成型，可以得到相对密度大于95％产品，同时减少了界面的气泡形成的几率，提高了界面的结合强度，从而提高了弥散强化铂基复合材料的高温抗蠕变性能。本发明解决了普通热压法叠层界面结合强度低，叠层界面缺陷多以及工艺流程长，成本高的问题，可用于制备高致密度，界面缺陷少的弥散强化铂基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116776584B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310713564.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F113/26
Abstract: 本发明公开的考虑金属丝网的网状抛物面天线电性能分析方法，基于金属丝网的结构参数建立金属丝网电磁分析周期单元，根据电磁波对天线抛物面不同位置的入射角度将抛物面划分为不同环，通过分析每一环金属丝网的透射系数和反射系数，将金属丝网等效为一种复合媒质，提取其等效电磁参数；根据所述等效电磁参数建立网状抛物面等效模型，通过设置激励和求解器即可分析网状天线电性能。本发明以精确的周期结构单元模型为基础进行分析，相比以往以金属丝网等效模型的分析方法，本发明是对金属丝网进行精确建模，分析方法计算结果更加精确。将金属丝网等效为一定厚度的实体复合媒质，进行天线电性能分析，分析方法更简洁、分析速度更快。
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公开(公告)号：CN115955843A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211310264.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器及其制备方法，本发明是基于刀片状下电极制备的，相变材料层和选通管材料层的横向线宽通过调节沉积厚度进行控制，并使用光刻和刻蚀进行图形化，依附于侧壁上的相变材料层和选通管材料层也可采用直接刻蚀的方法形成。本发明可以大幅度缩小相变存储器单元的有效区域从而降低操作功耗，改善疲劳寿命，同时采用三维堆叠方法提高存储阵列密度。
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公开(公告)号：CN111254398B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111235536B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10 μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10 μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111060044B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C‑scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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