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公开(公告)号：CN115533447B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN115415351B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN117620231A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311645317.6
申请日：2023-12-04
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B23B5/00 , B23B31/103 , B23B1/00
Abstract: 本发明公开了一种碗形靶材的机加工辅助工装及加工方法，该工装包括碗形弹性组件、内撑件及紧固螺栓；碗形弹性组件外侧面呈一定锥度，其大直径端中心区域下凹，内侧壁与外侧锥度相同，沿着其外边缘均分有数条沟槽；内撑件呈锥台状；紧固螺栓穿过碗形弹性组件中心过孔并紧固内撑件，使得碗形弹性组件向外扩张并夹持住碗形靶坯。加工方法包括：靶坯与工装装配，工装将碗形靶坯的内壁撑住；对已装配夹具的碗形靶坯进行装夹，外表面车削加工；靶坯反向装夹，内表面车削加工，对碗底内侧的弧形采用类双曲线的平滑过程方式进行加工。该方法不仅简单易操作、加工效率高、用料节约，而且加工的碗形靶材具有尺寸精度高、壁厚均匀、表面粗糙度小等优点。
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公开(公告)号：CN114293157B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111501941.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN111254398B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111235536B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10 μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10 μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111060044B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C‑scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN111060044A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN104060229A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410280254.3
申请日：2014-06-20
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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