一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺

    公开(公告)号:CN109537010B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201811326423.7

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺,包括取电子元器件,用盐酸浸泡后,清洗,化学抛光,清洗,中和,装夹,清洗,除油;活化,去离子水清洗;冲击镀镍,冲击镀镍温度为(10~30)℃,电流密度为(1~8)A/dm2;电镀镍,电镀镍温度为(40~55)℃,电流密度为(0.1~1)A/dm2;回收,去离子水清洗,活化;镀金(带电下槽),镀金温度为(38~45)℃,电流密度为(0.1~0.3)A/dm2;回收,去离子水清洗,卸夹,脱水,干燥;热处理,后处理,即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好,镀层性能好。

    提高无氰镀银结合力的预镀工艺

    公开(公告)号:CN104962961B

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201510336831.0

    申请日:2015-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种提高无氰镀银结合力的预镀工艺,所述络合剂包括:丙氨酸、氨基硫脲;通过将丙氨酸和氨基硫脲混合;加入去离子水溶解;加热蒸发;然后加入KOH或NaOH溶液,调整其pH值为9‑10;过滤,即得络合剂;预镀工艺:向纯净水中加入络合剂和硝酸银,调整其pH值为9‑10,得电解质溶液;将其加入电解槽,将预镀件连接在电极的阴极,放入电解质溶液中,空气搅拌电解质溶液,进行预镀。本发明实现了电子元器件中铜和铜合金、铁合金、铝合金零件镀银结合力要求;特别解决了特殊产品结构件零件镀银结合力的特殊要求。

    一种硫酸盐体系深孔镀镍添加剂、制备方法及电镀工艺

    公开(公告)号:CN111334825B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201811554648.8

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种硫酸盐体系深孔镀镍添加剂、制备方法及电镀工艺,该添加剂包括的物料及其组成为:开缸剂2~10ml/l;润湿剂1~4ml/l;主光亮剂0.5~1.5ml/l;辅助光亮剂0.5~1.2ml/l。本发明提供了一种新型的硫酸盐体系深孔镀镍添加剂,利用该添加剂作为中间体进行电镀,通过中间体的配比,提升了光亮镀镍的深镀能力,此外,提高了产品质量保障,生产效率大大提升;利用本发明所提供的镀镍添加剂对产品进行电镀镍,提升了镀液的分散能力和深镀能力,提高了镀层的致密性,保障了镀层的耐腐蚀性。

    一种TO-5罩壳外部和内腔的多余物的清理工艺

    公开(公告)号:CN108411315A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810343425.0

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种TO-5罩壳外部和内腔的多余物的清理工艺,包括如下步骤:1)配液:取磷酸、硫酸、硝酸,并将其混合,得清洗液;2)酸洗:取清洗液,将TO-5罩壳放入清洗液中,浸泡至少1分钟,然后取出;3)振动酸洗:取清洗液放入振动清洗槽,加水稀释,然后将酸洗后的TO-5罩壳放入振动清洗槽中,振动酸洗至少10分钟,然后取出;4)超声酸洗:用WY-226A超声波除粒清洗剂放入超声清洗槽,加水稀释,然后将振动清洗后的TO-5罩壳放入超声清洗槽中,超声酸洗至少5分钟,然后取出;5)磁力碾磨:将超声清洗后的TO-5罩壳放入磁力碾磨装置内进行除粒至少5分钟,然后取出退磁、清洗并烘干即可。本发明具有清洗干净,清洗后内腔多余物少,产品达标的特点。

    一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺

    公开(公告)号:CN109537010A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811326423.7

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺,包括取电子元器件,用盐酸浸泡后,清洗,化学抛光,清洗,中和,装夹,清洗,除油;活化,去离子水清洗;冲击镀镍,冲击镀镍温度为(10~30)℃,电流密度为(1~8)A/dm2;电镀镍,电镀镍温度为(40~55)℃,电流密度为(0.1~1)A/dm2;回收,去离子水清洗,活化;镀金(带电下槽),镀金温度为(38~45)℃,电流密度为(0.1~0.3)A/dm2;回收,去离子水清洗,卸夹,脱水,干燥;热处理,后处理,即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好,镀层性能好。

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