公开(公告)号：CN109020500A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811177494.5

申请日：2018-10-10

Applicant: 贵州大学 ,  广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 庞驰 ,  方超 ,  赵文英 ,  段兆祥 ,  贺晓东 ,  左艳珍

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明公开了一种高精度NTC热敏陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：1)取NTC热敏陶瓷原料；2)将NTC热敏陶瓷原料装入球磨罐充分混合球磨，将球磨后得到的浆料放置在干燥箱中烘干，得粉体；3)向粉体加入水，再加入氨水、柠檬酸或草酸中的一种或任意几种的组合物，然后加热进行水热处理，水热处理后的粉末烘干，得NTC热敏陶瓷原料粉体；4)将NTC热敏陶瓷原料粉体采用传统NTC陶瓷的处理工艺处理，得高精度NTC热敏陶瓷。本发明具有制得的NTC热敏陶瓷性能好，精度高，原料用量少，成本低，污染小，工艺更加简单，工艺稳定性好的特点。

公开(公告)号：CN117417179A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311335543.4

申请日：2023-10-16

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司 ,  贵州大学

Inventor： 方超 ,  庞驰 ,  刘传东

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种以可溶盐形式掺杂制备NTC热敏陶瓷的方法，NTC热敏陶瓷由甲和乙两种组分组成；其中甲组分由Mn3O4组成，或由Mn3O4以及Ni2O3和/或Co3O4组成；乙组分为Fe3O4、CuO、Al2O3或ZnO中的一种或任意多种；所述甲组分的原料为氧化物；所述乙组分的全部或部分原料为其金属元素的硝酸盐，其余为氧化物；或乙组分的全部原料为氧化物，在制浆时向其中加入硝酸、柠檬酸或草酸中的一种或任意多种。本发明方法制得的NTC热敏陶瓷具有掺杂料分散度高、成本较低、污染较小、工艺稳定的特点；此外，还具有晶粒更细化、晶界层更稳定以及一致性和可靠性更好的特点。

公开(公告)号：CN118919193A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411226014.5

申请日：2024-09-02

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 罗云坚 ,  刘传东 ,  方超 ,  庞驰

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明涉及钙钛矿型NTC热敏电阻技术领域，具体涉及一种钙钛矿型NTC热敏电阻及其制备方法。钙钛矿型NTC热敏电阻制备方法包括步骤：按摩尔份数计，根据(Y1‑yZny)(Cr1‑xMnx)O3(其中0＜y≤0.1，0.4

公开(公告)号：CN118919194A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411226021.5

申请日：2024-09-02

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 罗云坚 ,  方超 ,  刘传东 ,  庞驰

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明涉及线性NTC热敏电阻技术领域，具体涉及一种线性NTC热敏电阻及其制备方法。线性NTC热敏电阻的制备方法包括步骤：按质量百分数计，根据(85+y)ZnO‑(10‑y)Al2O3‑(5‑x)MgO(其中0≤y≤5，0

公开(公告)号：CN114409397B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210085460.3

申请日：2022-01-25

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 李志成 ,  方超

IPC: H01C7/02 ,  H01C10/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明涉及一种低TCR陶瓷电阻材料，该陶瓷电阻材料的化学通式为(Sn1‑xSbxO2)(Bi8TiO14)y(Sb2O3)w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。本发明还涉及一种低TCR陶瓷芯片电阻及其制备方法，所述低TCR陶瓷芯片电阻包括瓷体和设于瓷体两表面的电极，所述瓷体采用所述陶瓷电阻材料。本发明所述陶瓷电阻材料的原料来源广且成本低，制得电阻的室温电阻率可调节，电阻温度系数小。

公开(公告)号：CN114477994A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210086393.7

申请日：2022-01-25

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 方超

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/00 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明涉及一种大功率陶瓷芯片电阻、电阻材料及其制备。所述陶瓷电阻材料的化学通式为(ZnO)x(MgZnO)1‑x(ZnAl2O4)y(MO)w，其中0.5≤x≤1，0＜y≤0.5，M为稀土元素的一种或多种，0≤w≤0.05。所述大功率陶瓷芯片电阻包括瓷体和设于瓷体两表面的电极，所述瓷体采用所述陶瓷电阻材料。所述陶瓷芯片电阻的制备方法包括如下步骤：按配方制备原料粉料，然后在烧结温度1200～1400℃下保温2～15小时将原料粉料烧结成锭子，再进行切片、印刷电极、烧结电极、划切，得到成品。本发明的陶瓷芯片电阻能够满足在大电流、高电压等高能量密度的条件下的使用要求，而且制备工艺简单。

公开(公告)号：CN118919192A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411249618.1

申请日：2024-09-05

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 叶展昭 ,  曾佑 ,  彭幸 ,  沈华生 ,  方超 ,  刘传东

IPC: H01C7/00 ,  H01C13/02 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种厚膜电阻及其制备方法。厚膜电阻包括基板，所述基板的底面印刷有第一电极，所述基板的顶面相对的两侧分别印刷有第二电极，且两个所述第二电极之间印刷有至少两个间隔设置的电阻，多个所述电阻并联在两个所述第二电极上。本发明的厚膜电阻及其制备方法，能够防止常规结构散热慢引起的局部受热快的问题，进而降低了厚膜电阻的使用风险，同时提升了耐受电流，进而提升了厚膜电阻的应用。

公开(公告)号：CN114409397A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210085460.3

申请日：2022-01-25

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 李志成 ,  方超

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01C7/02

Abstract: 本发明涉及一种低TCR陶瓷电阻材料，该陶瓷电阻材料的化学通式为(Sn1‑xSbxO2)(Bi8TiO14)y(Sb2O3)w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。本发明还涉及一种低TCR陶瓷芯片电阻及其制备方法，所述低TCR陶瓷芯片电阻包括瓷体和设于瓷体两表面的电极，所述瓷体采用所述陶瓷电阻材料。本发明所述陶瓷电阻材料的原料来源广且成本低，制得电阻的室温电阻率可调节，电阻温度系数小。

公开(公告)号：CN219329149U

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202320039913.9

申请日：2023-01-03

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 方超 ,  孔淑湄

IPC: H01C1/024 ,  H01C7/04

Abstract: 本实用新型涉及一种COB封装的NTC热敏电阻，包括基板、NTC热敏电阻芯片、引线和封装层，所述NTC热敏电阻芯片设置在所述基板上，并通过所述引线与所述基板连接，所述封装层覆盖在所述基板、NTC热敏电阻芯片和引线上。所述NTC热敏电阻使用COB封装形式，可有效避免SMT焊接对其电性能的影响，并能够有效隔离外界，提高可靠性。

公开(公告)号：CN219370707U

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202320039912.4

申请日：2023-01-03

Applicant: 广东爱晟电子科技有限公司

Inventor： 方超 ,  叶展昭

IPC: H01C1/01

Abstract: 本实用新型涉及一种可邦定式的厚膜电阻，包括陶瓷基板、电阻体、两个表面电极和背面电极，所述电阻体和两个表面电极设置在陶瓷基板的一面，所述两个表面电极分别连接所述电阻体的两侧，所述背面电极设置在陶瓷基板的另一面。本实用新型的厚膜电阻设置有表面电极用于打线，适合用于邦定。