一种应力缓冲金属电极结构热敏芯片

    公开(公告)号:CN111128494A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911420891.5

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种应力缓冲金属电极结构热敏芯片,包括热敏陶瓷基片以及两个分别设于所述热敏陶瓷基片的两表面上的复合电极,所述复合电极是由第一金属电极层、应力缓冲层和第二金属电极层从内向外依次在所述热敏陶瓷基片表面上层叠而成,所述应力缓冲层由金属浆料与高岭土粉末混合得到的材料制成。本发明还涉及所述热敏芯片的制备方法。本发明所述的热敏芯片具有耐冷热冲击、结构稳定、可靠性高的优点。

    一种快速响应温度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN108036875B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201711380979.X

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 一种快速响应温度传感器,包括热敏电阻、两根电子线、包封层、套管和第一接合部;所述电子线为未包覆绝缘层的金属导电线,所述热敏电阻固定在所述两根电子线的第一端,所述包封层包覆在所述热敏电阻和所述两根电子线的第一端外;所述套管为绝缘套管,其设有两个轴向通孔,所述两根电子线分别插入所述套管的两个轴向通孔中,使所述热敏电阻及包封层位于所述套管的第一端,并使所述两根电子线的第二端露出所述套管的第二端外;所述第一接合部填充在所述套管的第一端与所述包封层的空隙之间,使所述套管与所述包封层熔接固定。本发明的快速响应温度传感器,避免了热敏电阻外包裹多层物质导致热传导效率低的缺陷。

    多层薄膜型高灵敏性热敏感温芯片及其制作方法

    公开(公告)号:CN109724716A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201811638108.8

    申请日:2018-12-29

    Abstract: 本发明涉及一种多层薄膜型高灵敏性热敏感温芯片,所述热敏感温芯片包括基片、陶瓷体和两个金属端电极,所述基片的表面划分为中部区以及分别设于中部区两侧的两个端部区,所述陶瓷体设于所述中部区上,所述两个金属端电极分别设于所述两个端部区上;所述陶瓷体是由N层陶瓷膜间隔层叠而成的曲折相连的层状结构,N为大于或等于2的自然数;每相邻两层陶瓷膜之间设有一层金属膜,且最底层的陶瓷膜与所述基片之间设有一层金属膜,每层金属膜只与其中一个金属端电极连接。本发明还涉及所述多层薄膜型高灵敏性热敏感温芯片的制备方法。本发明所述热敏感温芯片能够同时实现小尺寸、低阻值和高B值。

    一种复合热敏电阻芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN108109789A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711380975.1

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种复合热敏电阻芯片,所述复合热敏电阻芯片包括热敏瓷片、金属电极和玻璃釉电阻,所述热敏瓷片设有正面和背面,所述金属电极包括第一端电极和第二端电极,所述第一端电极和第二端电极分别设置在所述热敏瓷片的正面或背面任一面的两端,所述玻璃釉电阻设置在所述热敏瓷片的正面或背面上。本发明还涉及该复合热敏电阻芯片的制备方法:将NTC热敏陶瓷粉料压制成型后高温烧结成陶瓷锭,再将陶瓷锭切割为陶瓷热敏基片,然后在陶瓷热敏基片上印刷金属电极层和玻璃釉电阻,再将陶瓷热敏基片高温烧结,烧结后对其进行划切,得到单个的复合热敏电阻芯片。本发明所述的复合热敏电阻芯片具有温度曲线可调整、结构简单、制备简单、成本低的优点。

    一种新型热敏电阻排芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN108039256A

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201711380990.6

    申请日:2017-12-20

    CPC classification number: H01C7/04 H01C17/06

    Abstract: 本发明涉及一种新型热敏电阻排芯片,所述热敏电阻排芯片包括热敏瓷片和设置在热敏瓷片表面的金属电极,其特征在于:所述金属电极包括至少两个顶电极和一个底电极,所述顶电极并排且间隔设置在所述热敏瓷片的上表面上,所述底电极完全覆盖于所述热敏瓷片的下表面。本发明还涉及所述新型热敏电阻排芯片的制备方法,该方法为:将NTC热敏陶瓷粉料压制成型后高温烧结成陶瓷锭,再将陶瓷锭切割为陶瓷热敏基片,然后在陶瓷热敏基片上印刷金属电极层,再将陶瓷热敏基片烧结,烧结后对其进行划切,得到单个的新型热敏电阻排芯片。本发明所述的电阻排芯片具有提高安装效率和安装密度、安装方式灵活、结构简单、有利于节省电路空间和提高集成度的优点。

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