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公开(公告)号：CN1708813A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102394.1
申请日：2003-11-07
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 旭电化工业株式会社 , 昭和电线电缆株式会社
CPC classification number: H01L39/2425 , Y10S505/734
Abstract: 本发明提供一种氧化物超导厚膜用组合物，它含有具有6或更多个碳原子的支化饱和脂族羧酸的铜盐和/或具有6或更多个碳原子的脂环族羧酸的铜盐，它适于通过MOD方法生产铜基氧化物超导厚膜，且可在高速下经历均匀的成膜。本发明还提供使用所讨论的氧化物超导厚膜用组合物，在高速下经历均匀的成膜而获得的厚膜带状形式的氧化物超导体。
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公开(公告)号：CN101506100B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200780031345.1
申请日：2007-06-12
Applicant: 公益财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01L39/2425 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241
Abstract: 抑制裂缝的发生及晶界的电结合性降低的原因，制造具有高Jc与Ic值的带状超导体。采用MOD法，在基板上制造Re系(123)超导体时，通过使Re、Ba及Cu的摩尔比Re∶Ba∶Cu＝1∶X∶3时，采用X＜2范围内的Ba摩尔比(优选1.0≤X≤1.8，更优选1.3≤X≤1.7)的原料溶液，可以制造Jc＝3.20MA/cm2、Ic＝525A/cm(X＝1.5)的具有超导特性的厚膜的带状超导体。
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公开(公告)号：CN1708607A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102130.6
申请日：2003-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01L39/2458 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/22 , C30B29/225 , H01L39/2461
Abstract: 本发明涉及在基底层上形成优质薄膜的技术。该成膜技术可较好地应用于提供，例如在超导线材或超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜。其是在基体材料上形成的单晶性薄膜，其特征在于：该薄膜由与基体材料不同的物质构成，在基底层和薄膜中共同地包含的特定的原子层在这些基体材料与薄膜的界面中被共有，在从界面起到薄膜的100个单位晶格以内的界面附近区域中，以基体材料的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。
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公开(公告)号：CN103620702A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280029838.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 公益财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 株式会社藤仓
CPC classification number: H01B12/04 , H01L39/126 , H01L39/2448 , H01L39/2483
Abstract: RE123系超导线材具备：基材；中间层，形成于基材上方；以及氧化物超导层，形成于中间层上方的含有由RE1Ba2Cu3O7-δ（RE表示稀土类元素中的1种或2种以上）的组成式表示的氧化物超导体，氧化物超导层具有作为人工钉扎分散于氧化物超导层中的0.5～10mol%的含Hf的化合物，氧化物超导层的膜厚d为d＞1μm，满足Jcd/Jc1≥0.9（Jc1表示氧化物超导层的厚度为1μm时的临界电流密度，Jcd表示氧化物超导层的厚度为dμm时的临界电流密度）的电流特性。
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公开(公告)号：CN101506100A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031345.1
申请日：2007-06-12
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01L39/2425 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1241
Abstract: 抑制裂缝的发生及晶界的电结合性降低的原因，制造具有高Jc与Ic值的带状超导体。采用MOD法，在基板上制造Re系(123)超导体时，通过使Re、Ba及Cu的摩尔比Re∶Ba∶Cu＝1∶X∶3时，采用X＜2范围内的Ba摩尔比(优选1.0≤X≤1.8，更优选1.3≤X≤1.7)的原料溶液，可以制造Jc＝3.20MA/cm2、Ic＝525A/cm(X＝1.5)的具有超导特性的厚膜的带状超导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101911218B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880124368.1
申请日：2008-12-17
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 昭和电线电缆系统株式会社
CPC classification number: H01L39/2425 , H01L39/126 , H01L39/2483 , Y10T29/49014
Abstract: 本发明提供一种Re系氧化物超导线材，通过使磁通钉扎点微细分散于超导体中，获得优异的磁场施加角度依存性。在复合衬底的中间层上，涂敷包含含有构成降低了Ba浓度的Re系超导体的金属元素的有机金属络合物溶液和含有选自与Ba的亲和性大的Zr、Ce、Sn或Ti的至少一种以上的金属的有机金属络合物溶液的混合溶液后，进行烧结，人工地使含有Zr的氧化物颗粒(磁通钉扎点)微细分散，由此，能够显著地提高Jc的磁场施加角度依存性(Jc.min/Jc.max)。
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公开(公告)号：CN101494104B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910001900.7
申请日：2009-01-14
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 国立大学法人横滨国立大学
CPC classification number: Y02E40/641 , Y02E40/642
Abstract: 本发明提供一种能避免由于在制造时产生的不可回避的妨碍因素而引起的性能降低、且交流损失低的、加工而成的超导线材、超导导体及超导电缆。该超导线材为依次形成由绝缘材料或者电阻值高的材料构成的中间层、超导薄膜、稳定性膜的超导线材，具备沿着上述超导线材的纵向形成的、避免所包含妨碍因素的性能降低的、相互平行的多条切痕，且为在上述切痕处可向宽度方向弯曲的超导线材。
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公开(公告)号：CN101494104A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910001900.7
申请日：2009-01-14
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 国立大学法人横滨国立大学
CPC classification number: Y02E40/641 , Y02E40/642
Abstract: 本发明提供一种能避免由于在制造时产生的不可避免的妨碍因素而引起的性能降低、且交流损失低的、加工而成的超导体线材、超导体导体及超导体电缆。该超导体线材为依次形成由绝缘材料或者电阻值高的材料构成的中间层、超导体薄膜、稳定性膜的超导体线材，具备沿着上述超导体线材的纵向形成的、避免所包含妨碍因素的性能降低的、相互平行的多条切痕，且为在上述切痕处可向宽度方向弯曲的超导体线材。
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公开(公告)号：CN100392770C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200380102394.1
申请日：2003-11-07
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 株式会社ADEKA , 昭和电线电缆系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种氧化物超导厚膜用组合物，它含有具有6或更多个碳原子的支化饱和脂族羧酸的铜盐和/或具有6或更多个碳原子的脂环族羧酸的铜盐，它适于通过MOD方法生产铜基氧化物超导厚膜，且可在高速下经历均匀的成膜。本发明还提供使用所讨论的氧化物超导厚膜用组合物，在高速下经历均匀的成膜而获得的厚膜带状形式的氧化物超导体。
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公开(公告)号：CN103189934A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052212.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 昭和电线电缆系统株式会社 , 公益财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01B12/06 , H01L39/2425 , H01L39/2483 , Y10T428/2949
Abstract: 本发明提供一种氧化物超导线材，在磁场施加环境下，对于所有的磁场施加角度方向均能够有效地钉扎磁通，确保高的超导特性。该氧化物超导线材（100）具备金属基板（110）、形成于金属基板（110）上的中间层（120）和形成于中间层（120）上的REBaCuO系超导层（140）。RE由选自Y、Nd、Sm、Eu、Gd及Ho中的一种以上的元素构成。在超导层（140）中，作为磁通钉扎点（145）分散有含有Zr的氧化物粒子，在设Zr的摩尔比为x的情况下，超导层（140）中含有的Ba的摩尔比y在1.2＋ax≤y≤1.8＋ax的范围，其中，0.5≤a≤2。
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