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公开(公告)号：CN100392770C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200380102394.1
申请日：2003-11-07
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 株式会社ADEKA , 昭和电线电缆系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种氧化物超导厚膜用组合物，它含有具有6或更多个碳原子的支化饱和脂族羧酸的铜盐和/或具有6或更多个碳原子的脂环族羧酸的铜盐，它适于通过MOD方法生产铜基氧化物超导厚膜，且可在高速下经历均匀的成膜。本发明还提供使用所讨论的氧化物超导厚膜用组合物，在高速下经历均匀的成膜而获得的厚膜带状形式的氧化物超导体。
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公开(公告)号：CN1708813A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102394.1
申请日：2003-11-07
Applicant: 财团法人国际超电导产业技术研究中心 , 旭电化工业株式会社 , 昭和电线电缆株式会社
CPC classification number: H01L39/2425 , Y10S505/734
Abstract: 本发明提供一种氧化物超导厚膜用组合物，它含有具有6或更多个碳原子的支化饱和脂族羧酸的铜盐和/或具有6或更多个碳原子的脂环族羧酸的铜盐，它适于通过MOD方法生产铜基氧化物超导厚膜，且可在高速下经历均匀的成膜。本发明还提供使用所讨论的氧化物超导厚膜用组合物，在高速下经历均匀的成膜而获得的厚膜带状形式的氧化物超导体。
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公开(公告)号：CN101193849B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200680020588.0
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C53/126 , C07C51/41 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及2-乙基己酸铌衍生物，其特征在于，铌含量在13～16质量％，碳含量在50～58质量％的范围内，且仅由铌原子、氧原子和2-乙基己酸残基构成。上述2-乙基己酸铌衍生物可以通过使五(烷氧基)铌和2-乙基己酸反应制造。另外，本发明还涉及有机酸金属盐组合物，其特征在于，含有2-乙基己酸铌衍生物、除铌以外的金属前体、和至少1种有机溶剂。本发明还涉及在基体上制造薄膜的方法，其在基体上涂敷上述有机酸金属盐组合物，通过加热，形成含有铌元素和除铌以外的金属的薄膜。
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公开(公告)号：CN101193849A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020588.0
申请日：2006-05-30
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C53/126 , C07C51/41 , C07F9/00
Abstract: 本发明涉及2－乙基己酸铌衍生物，其特征在于，铌含量在13～16质量％，碳含量在50～58质量％的范围内，且仅由铌原子、氧原子和2－乙基己酸残基构成。上述2－乙基己酸铌衍生物可以通过使五(烷氧基)铌和2－乙基己酸反应制造。另外，本发明还涉及有机酸金属盐组合物，其特征在于，含有2－乙基己酸铌衍生物、除铌以外的金属前体、和至少1种有机溶剂。本发明还涉及在基体上制造薄膜的方法，其在基体上涂敷上述有机酸金属盐组合物，通过加热，形成含有铌元素和除铌以外的金属的薄膜。
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