公开(公告)号：CN1708608A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102131.0

申请日：2003-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 长谷川胜哉 ,  和泉辉郎 ,  盐原融 ,  菅原义弘 ,  平山司 ,  大场史康 ,  几原雄一

IPC: C30B29/22 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2461 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225

Abstract: 本发明涉及在基体材料上经中间层形成优质的薄膜的技术。这样的成膜技术可较好地应用于，例如在超导线材和超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜的形成。其特征在于，在基体材料上经中间层形成薄膜的方法中，计算出该基体材料与中间层间的界面A的界面能量Ea和中间层与薄膜间的界面B的界面能量Eb，计算出在中间层不存在的状态下的基体材料与薄膜间的界面C的界面能量Ec，然后，选择满足Ea＜Ec且Eb＜Ec的条件的中间层材料。

公开(公告)号：CN1708607A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102130.6

申请日：2003-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人国际超电导产业技术研究中心

Inventor： 长谷川胜哉 ,  和泉辉郎 ,  盐原融 ,  菅原义弘 ,  平山司 ,  大场史康 ,  几原雄一

IPC: C30B29/22 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2458 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225 ,  H01L39/2461

Abstract: 本发明涉及在基底层上形成优质薄膜的技术。该成膜技术可较好地应用于提供，例如在超导线材或超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜。其是在基体材料上形成的单晶性薄膜，其特征在于：该薄膜由与基体材料不同的物质构成，在基底层和薄膜中共同地包含的特定的原子层在这些基体材料与薄膜的界面中被共有，在从界面起到薄膜的100个单位晶格以内的界面附近区域中，以基体材料的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。