具有针对混合结合的光电传感器阵列的交错字线转变的DRAM

    公开(公告)号:CN111193884A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201911024069.7

    申请日:2019-10-25

    Inventor: 陈家明 钟植羅

    Abstract: 一种图像传感器具有多个块,每个块具有多个像素;每个块使用单独的模拟-数字转换器(ADC)。ADC将数字化图像馈送到图像DRAM中,且图像DRAM将数字化图像馈送到对准缓冲器,继而将图像提供到图像处理器。ADC使用交错、重叠的字线以超长字的形式将数字化图像数据馈送到图像DRAM中,以写入每个超长字。成像方法,包括:将光电传感器阵列暴露于光;在像素的每个块内依次读取阵列的像素,同时读取每个块中的一个像素;以及在针对每个块的单独的ADC中将像素数字化。使用交错、重叠的字线将具有来自每个块的一个像素的数字化像素作为超长字并行地写入图像DRAM。将来自图像DRAM的像素读取到对准缓冲器中并因此读取到图像处理器。

    图像传感器和将数字图像转移到图像处理器的方法

    公开(公告)号:CN111193884B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN201911024069.7

    申请日:2019-10-25

    Inventor: 陈家明 钟植羅

    Abstract: 一种图像传感器具有多个块,每个块具有多个像素;每个块使用单独的模拟‑数字转换器(ADC)。ADC将数字化图像馈送到图像DRAM中,且图像DRAM将数字化图像馈送到对准缓冲器,继而将图像提供到图像处理器。ADC使用交错、重叠的字线以超长字的形式将数字化图像数据馈送到图像DRAM中,以写入每个超长字。成像方法,包括:将光电传感器阵列暴露于光;在像素的每个块内依次读取阵列的像素,同时读取每个块中的一个像素;以及在针对每个块的单独的ADC中将像素数字化。使用交错、重叠的字线将具有来自每个块的一个像素的数字化像素作为超长字并行地写入图像DRAM。将来自图像DRAM的像素读取到对准缓冲器中并因此读取到图像处理器。

    具有分离的堆叠像素阵列、DRAM和逻辑/模数转换器集成电路裸片的图像传感器

    公开(公告)号:CN110913155A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201910877287.9

    申请日:2019-09-17

    Abstract: 一种多IC缓存的图像传感器具有第一IC,该第一IC具有像素、选择晶体管和将选择的像素与第一裸片间接合焊盘相耦接的互连,该第一裸片间接合焊盘将图像数据传送到具有逻辑和ADC的第二IC。ADC具有耦接到所选择的像素的输入,以及将硅通孔和裸片间接合焊盘输出到第三IC,第三IC被耦接以缓存DRAM中的原始图像数据。一种方法包括:使用被划分为子阵列的阵列像素IC来捕获图像,每个所述子阵列经由裸片间接合耦接到分离的、相关联的ADC;扫描子阵列并将图像数据转换为数字图像数据;以及经由裸片间接合将数字图像数据传送到DRAM中的缓存器中。

    用于多晶片图像传感器的具有同时读取和写入功能的DRAM

    公开(公告)号:CN111654651B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202010138781.6

    申请日:2020-03-03

    Inventor: 陈家明 柳勋 秦晴

    Abstract: 一种逐像素块键合图像传感器具有包括多个像素块的像素阵列,该像素阵列具有将信号联接至ADC的选择电路。图像传感器具有DRAM超级块的图像RAM,每个超级块具有多个DRAM块,每个DRAM块具有三态输出,该三态输出驱动图像RAM输出总线,并且从多个ADC输入数据。每个DRAM块具有联接到读取地址和写入地址的地址多路复用器。每个超级块的各个DRAM块被同时写入,其数据宽于图像RAM输出总线的宽度。一种捕获和处理图像的方法,包括:通过ADC从像素块的像素中读取第一图像帧;在第一DRAM超级块中写入第一图像帧的数字像素数据;以及读取像素数据到对齐缓冲器中。该方法包括将读取第一图像帧与将第二图像帧写入第二超级块重叠。

    多集成电路缓存的图像传感器、成像方法以及多集成电路成像设备

    公开(公告)号:CN110913155B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201910877287.9

    申请日:2019-09-17

    Abstract: 一种多IC缓存的图像传感器具有第一IC,该第一IC具有像素、选择晶体管和将选择的像素与第一裸片间接合焊盘相耦接的互连,该第一裸片间接合焊盘将图像数据传送到具有逻辑和ADC的第二IC。ADC具有耦接到所选择的像素的输入,以及将硅通孔和裸片间接合焊盘输出到第三IC,第三IC被耦接以缓存DRAM中的原始图像数据。一种方法包括:使用被划分为子阵列的阵列像素IC来捕获图像,每个所述子阵列经由裸片间接合耦接到分离的、相关联的ADC;扫描子阵列并将图像数据转换为数字图像数据;以及经由裸片间接合将数字图像数据传送到DRAM中的缓存器中。

    用于多晶片图像传感器的具有同时读取和写入功能的DRAM

    公开(公告)号:CN111654651A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010138781.6

    申请日:2020-03-03

    Inventor: 陈家明 柳勋 秦晴

    Abstract: 一种逐像素块键合图像传感器具有包括多个像素块的像素阵列,该像素阵列具有将信号联接至ADC的选择电路。图像传感器具有DRAM超级块的图像RAM,每个超级块具有多个DRAM块,每个DRAM块具有三态输出,该三态输出驱动图像RAM输出总线,并且从多个ADC输入数据。每个DRAM块具有联接到读取地址和写入地址的地址多路复用器。每个超级块的各个DRAM块被同时写入,其数据宽于图像RAM输出总线的宽度。一种捕获和处理图像的方法,包括:通过ADC从像素块的像素中读取第一图像帧;在第一DRAM超级块中写入第一图像帧的数字像素数据;以及读取像素数据到对齐缓冲器中。该方法包括将读取第一图像帧与将第二图像帧写入第二超级块重叠。

    具有每比特位2个存储单元的、具有公共字线的快速存取DRAM架构

    公开(公告)号:CN110970069A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201910870379.4

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 在系统中,1T DRAM解码器驱动字线,每个字线驱动原码DRAM存储单元和补码DRAM存储单元的使能晶体管;原码DRAM存储单元联接至原码位线,而补码DRAM存储单元联接至补码位线。差分感测放大器各自接收原码位线和补码位线。在写入和读取DRAM的方法中,提供具有公共字线的DRAM,公共字线向附接至原码位线和补码位线的原码存储单元和补码存储单元馈送信号。写入DRAM包括:将数据施加到原码位线及将补码数据施加到补码位线上;随后向所选择的字线供应脉冲以将数据写入到原码存储单元和补码存储单元中。读取需要向预充电线供应脉冲来重置原码位线和补码位线;选择单个字线以将原码存储单元和补码存储单元读取到原码位线和补码位线上;以及感测原码位线与补码位线之间的差异。

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