公开(公告)号：CN1154162C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN99108431.4

申请日：1999-06-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  R·拉纳德 ,  B·弗里特纳

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/30655 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 通过反应离子蚀刻工艺，以一种使其具有包含多个腰部的外形的方式，在硅晶片中蚀刻用于形成DRAM的存储电容器的垂直沟道。采用以下方法来获得这种外形：在反应离子蚀刻过程中改变硅晶片被支撑在其上的底盘中冷却剂流率，以便在该蚀刻过程中改变该硅晶片的温度。另一种方法是，通过或者改变蚀刻室中不同气体的比例，或者改变蚀刻室中总的气体压力来实现所述多腰部外形。

公开(公告)号：CN1241018A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99108431.4

申请日：1999-06-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： A·米凯利斯 ,  R·拉纳德 ,  B·弗里特纳

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/30655 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 通过反应离子蚀刻工艺,以一种使其具有包含多个腰部的外形的方式,在硅晶片中蚀刻用于形成DRAM的存储电容器的垂直沟道。采用以下方法来获得这种外形:在反应离子蚀刻过程中改变硅晶片被支撑在其上的底盘中冷却剂流率,以便在该蚀刻过程中改变该硅晶片的温度。另一种方法是,通过或者改变蚀刻室中不同气体的比例,或者改变蚀刻室中总的气体压力来实现所述多腰部外形。